ASML公司首席执行官傅恪礼近日透露，基于新一代高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻技术的芯片产品即将进入量产阶段。这项突破性技术将同时应用于逻辑芯片和存储芯片两大领域，首批产品预计在未来几个月内面世。作为2纳米以下先进制程的核心设备，High-NA EUV光刻机通过提升光学系统分辨率，使芯片特征尺寸缩小幅度达到66%，相当于将相机对焦精度提升至全新水平。
与传统EUV设备相比，新一代光刻机在成本控制方面展现出显著优势。傅恪礼强调，虽然单台设备初期投入高昂，但随着技术成熟和规模化应用，单位芯片的光刻成本将逐步降低。这种设计理念特别契合AI芯片、高带宽内存（HBM）和动态随机存取存储器（DRAM）等高端产品的制造需求，为突破先进制程的物理极限提供了关键技术支撑。
全球半导体巨头对这项新技术的态度呈现分化态势。台积电数周前公开表示，单台High-NA EUV光刻机造价高达4亿美元，约为现有设备的两倍价格，目前尚不具备大规模采购条件。与之形成对比的是，英特尔已在美国波特兰工厂完成两台设备的安装调试，累计处理晶圆超过3万片，并计划在2027至2028年实现14A制程的量产目标。
存储芯片领域同样表现出积极态度。韩国SK海力士明确宣布将于今年首次导入High-NA EUV技术，用于下一代DRAM内存的生产。这项技术突破不仅体现在分辨率提升上，其光学系统的革新使芯片制造精度达到前所未有的水平，为摩尔定律的延续开辟了新路径。据技术资料显示，新设备通过优化数值孔径设计，在保持高良率的同时实现了制程节点的跨越式发展。
行业分析师指出，High-NA EUV技术的商业化进程将深刻影响全球半导体竞争格局。虽然初期设备成本高企，但其在先进制程领域的不可替代性正促使头部企业加速技术布局。随着英特尔、SK海力士等厂商陆续完成技术导入，预计2025年后将迎来新一代芯片产品的集中爆发期，这场由光刻技术革新引发的产业变革正在重塑半导体行业的未来图景。
