全球半导体设备巨头ASML正积极布局未来，着手研发下一代Hyper NA EUV光刻技术，旨在为芯片产业的长远发展奠定基础。ASML及其光学领域的独家合作伙伴蔡司（Carl Zeiss），正共同探索能够实现单次曝光分辨率达到5纳米级别的EUV光刻机，这一创新将满足2035年及以后的高级制程需求。
据悉，ASML当前最先进的光刻机型号已能实现单次曝光8纳米分辨率，相较之下，以往的老型号光刻机则需多次曝光才能达到相近的分辨率水平，这不仅拖慢了生产效率，也对良率构成了一定限制。
ASML与蔡司正紧密合作，致力于提升光刻机的数值孔径（NA），目标直指0.7或以上，这一数值是衡量光学系统性能的关键指标，直接关系到芯片图案能否以更高精度投射至晶圆表面。NA值的提升，加之光波长的缩短，将共同推动印刷分辨率迈向新高。
目前市场上主流EUV光刻机的NA值为0.33，而最新一代High NA EUV光刻机已将这一数值提升至0.55。在此基础上，ASML正加速向NA 0.7乃至更高数值的Hyper NA领域迈进，以期在光刻技术领域实现新的突破。
尽管ASML尚未公布这一革命性光刻机的具体上市时间表，但其持续的技术创新与突破，无疑为半导体产业的未来发展注入了强劲动力。
