据韩国媒体报道，三星电子已正式启动HBF高带宽闪存产品的前期研发工作，重点聚焦人工智能数据中心对高速存储解决方案的迫切需求。目前该项目仍处于概念设计阶段，具体技术参数与量产时间表尚未对外公布。
在技术路线选择上，全球主要NAND闪存制造商对HBF产品存在两种不同理解。一种方案由闪迪公司提出并获得SK海力士支持，该方案被业界称为"NAND版HBM"；另一种技术路径则由铠侠公司率先展示，其核心是开发多TB级超大容量高速PCIe存储设备。截至目前，三星尚未明确表态将采用哪种技术架构。
针对大规模AI推理场景的存储需求，传统固态硬盘采用的NAND存储技术已难以满足高速数据吞吐要求。三星电子自主研发的Z-NAND技术在此领域展现出独特优势，该技术通过在传统NAND与DRAM之间构建MLS/SLM存储层级，有望在高性能计算领域开辟新的应用空间。
