据韩国媒体报道，三星电子已正式启动针对人工智能数据中心需求的高带宽闪存（HBF）产品前期研发工作，目前处于概念设计阶段。由于项目尚处初期，具体技术参数与量产时间表尚未确定，但业界普遍认为该产品将重点解决AI场景下数据存储与传输的效率瓶颈。
当前NAND闪存行业对HBF的技术路径存在两种主流方案：其一为闪迪提出并获SK海力士支持的"NAND版HBM"架构，试图通过堆叠技术实现内存级带宽；其二则是铠侠此前展示的"多TB级超高速PCIe设备"，强调通过接口升级提升传输速率。三星尚未公开其技术路线选择，但业内人士推测其可能结合自有专利技术进行差异化开发。
在AI大规模推理部署场景中，传统固态硬盘形态的NAND存储已难以满足实时数据处理需求。三星持有的Z-NAND技术因其介于常规NAND与DRAM之间的性能特性，被认为可能在混合层级存储（MLS/SLM）领域展现独特优势。该技术通过优化读取延迟和写入寿命，有望填补高速存储与大容量存储之间的技术空白。
行业分析指出，随着生成式AI对存储系统带宽要求的指数级增长，高带宽闪存市场将在2025年后迎来爆发期。三星此次研发动作不仅关乎其存储业务的市场地位，更可能影响全球AI基础设施的技术演进方向。目前多家存储厂商均已加大相关领域投入，技术竞赛态势日趋激烈。
