近期存储芯片市场呈现持续上涨态势，通用DRAM与NAND闪存价格均延续多个月走高趋势。其中，通用DRAM价格已连续七个月攀升，NAND闪存价格更是连续第十个月出现上涨，且本月涨幅创下年内新高。
根据市场研究机构DRAMeXchange发布的数据，10月份通用PC产品DDR4 8Gb（1Gx8 2133MHz）的平均合约价格达到7美元，较上月6.30美元上涨11.11%。这一产品价格自4月份反弹22.22%后，便进入持续上涨通道，5月至8月期间单月涨幅均超过20%，尽管9月份涨幅收窄至10%左右，但整体上行趋势未改。
市场供需失衡是推动DRAM价格走高的核心因素。据DRAMeXchange母公司TrendForce分析，PC厂商为应对供应短缺风险，正在提前增加库存储备，而供应商则将生产重心向服务器DRAM倾斜，导致PC DRAM供应量进一步缩减。这种供需错配局面在第四季度可能加剧，TrendForce预测该季度PC DRAM合约价格将环比上涨25-30%。尽管主要供应商三星电子、SK海力士和美光已开始调整生产策略，聚焦高附加值产品，但供应限制短期内仍难以缓解，价格上行压力持续存在。
NAND闪存市场同样呈现强劲上涨势头。128Gb (16Gx8) MLC NAND闪存产品10月平均合约价涨至4.35美元，较上月3.79美元上涨14.93%，创下2025年以来最大单月涨幅。TrendForce报告指出，供应端产能收缩与需求端工业、汽车及电信设备领域需求增长形成共振，是推动价格走高的主要动力。特别是SLC和MLC闪存产能的持续萎缩，使得细分市场供需关系愈发紧张。
从需求结构来看，人工智能服务器、工业设备和汽车电子产品对NAND闪存的稳定需求，成为支撑价格的重要因素。TrendForce预计，这种需求态势将延续至2026年上半年，届时NAND闪存价格可能迎来新一轮上涨。当前市场环境下，供应商正通过优化产能分配和产品组合来应对需求变化，但短期内供应紧张局面仍难以根本扭转。
