近日，瑞银发布的一份行业报告引发半导体领域关注。报告指出，中国半导体设备制造商北方华创在高纵横比蚀刻技术方面可能取得关键突破，其90:1的高纵横比蚀刻设备有望应用于300层以上NAND Flash闪存的生产环节。
随着3D NAND技术向更高堆叠层数演进，当前行业正朝着300层以上的目标迈进。这一技术路径类似于构建数百层的"立体存储大厦"，而实现各层互联的关键设备，需要具备在微米级总厚度材料中刻蚀出数百层深、直径仅几十纳米的垂直通道的能力。这种通道结构需保持绝对笔直、均匀分布且互不干扰，其技术难度随层数增加呈指数级上升——当堆叠层数突破200层时，深宽比已超过60:1，而300层以上产品则需达到90:1甚至向100:1迈进，这被视为半导体制造领域最具挑战性的刻蚀工艺之一。
瑞银分析认为，若北方华创能成功获得国内NAND Flash晶圆厂订单，将打开数亿至数十亿美元规模的新兴市场。更值得关注的是，鉴于国内先进逻辑芯片需求持续旺盛，该公司在相关领域的设备收入存在进一步增长空间。基于技术突破预期，瑞银已将其2026年和2027年晶圆厂设备（WFE）收入预测分别上调1%和8%。
在半导体设备国产化进程中，另一家龙头企业中微公司此前已宣布突破存储领域高深宽比刻蚀技术，其设备已实现90:1深孔刻蚀能力，并正在向100:1的更高标准发起冲击。这种技术竞赛态势，折射出中国半导体设备制造商在关键工艺环节的集体突破趋势。
当前3D NAND技术发展呈现两大特征：一方面堆叠层数持续攀升，另一方面单层厚度不断压缩。这种"纵向增高"与"横向收缩"的双重趋势，对刻蚀设备的精度控制提出严苛要求。以300层产品为例，需要在总厚度仅数微米的材料中，刻蚀出直径几十纳米、深度达数百微米的垂直通道，且通道间间距需精确控制在纳米级，这对设备供应商的工艺控制能力构成终极考验。
