近日，半导体行业迎来重要进展，英特尔宣布成功部署阿斯麦（ASML）最新研发的TWINSCAN EXE:5200B光刻系统。该设备作为全球首套第二代高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻机，将直接应用于英特尔14A制程节点的芯片制造，标志着先进制程技术迈入新阶段。
据技术资料显示，EXE:5200B在核心性能指标上实现突破。在标准生产条件下，该系统每小时可处理175片晶圆，而英特尔通过优化系统参数，计划将产能提升至每小时200片以上。更值得关注的是，基于过去一年多对High-NA设备的实践积累，新系统的套刻精度（Overlay Accuracy）达到0.7纳米级别，为制造更复杂芯片结构提供了技术保障。
回顾技术演进历程，英特尔于2023年率先引入首台High-NA EUV原型机EXE:5000，并在俄勒冈州D1X研发中心完成技术验证与人才梯队建设。此次量产型设备的落地，不仅延续了双方在极紫外光刻领域的深度合作，更通过设备迭代验证了高精度光刻技术的工业化可行性，为后续大规模部署奠定基础。
英特尔强调，High-NA EUV技术是其晶圆代工业务的核心竞争力之一。通过整合掩模版制造、等离子蚀刻、解析度增强及计量检测等全链条工艺，该技术能够实现晶体管特征的进一步微缩，满足人工智能、高性能计算等领域对芯片密度的严苛要求。此次设备升级将直接推动英特尔在先进制程赛道的技术领先性。
行业分析指出，随着摩尔定律进入物理极限挑战期，High-NA EUV光刻机的量产应用具有战略意义。其0.55数值孔径设计相比前代0.33数值孔径设备，在分辨率和成像质量上实现质的飞跃，有望将芯片制程推进至埃米（Å）级时代。英特尔此次技术部署或将重塑全球半导体制造格局。
