存储芯片市场近期呈现强劲上涨态势，相关概念股表现活跃。截至午间收盘，天奥电子涨停，恒烁股份涨幅接近15%，成都华微、长川科技、盈新发展等公司股价均上涨超过5%。这一行情与存储芯片供应商的涨价策略密切相关。
据外媒报道，三星电子、SK海力士等主要存储供应商已决定上调明年HBM3E产品价格，涨幅预计接近20%。通常情况下，在新一代HBM产品推出前，供应商会下调前代产品价格，因此此次涨价在行业内较为少见。这一决策反映出市场对高端存储芯片的强劲需求。
早在今年10月，就有消息称三星电子与SK海力士计划在2025年第四季度上调DRAM和NAND闪存价格，涨幅最高可达30%。部分客户已开始洽谈2至3年期的长期供应协议，以应对可能出现的芯片短缺情况。这一趋势表明，存储芯片市场正进入新一轮上行周期。
自今年三季度末以来，受人工智能需求推动，存储行业开启“超级周期”。美光科技、三星电子、SK海力士等头部企业业绩显著提升。美光科技财报显示，2026财年第一财季调整后营收达136.4亿美元，同比增长57%，远超分析师预期；经调整净利润为54.82亿美元，同比增长58%。
三星电子2025年第三季度营业利润达12.16万亿韩元，同比增长32.2%，远超市场预期的10.1万亿韩元。SK海力士同期营业利润为11.38万亿韩元，环比增长24%，同比增长62%。这些数据表明，全球存储芯片市场正经历强劲复苏。
A股市场存储芯片企业同样表现亮眼。据统计，2025年前三季度，受文生视频模型迭代和AI数据存储需求扩张推动，存储芯片产业上市公司营收增长16.08%，净利润增长26.44%。这一增长势头与全球市场趋势保持一致。
市场分析人士指出，AI服务器需求的激增是推动存储芯片市场上涨的主要因素。数据中心需求爆发带来的订单预计将持续至2026年年底。这一判断得到多家机构研报支持，认为本轮存储行业上行周期具有较强持续性。
根据TrendForce集邦咨询调查，2025年第四季度Server DRAM合约价将因全球云端供应商扩充数据中心规模而上涨，带动整体DRAM价格上扬。预计DRAM价格环比增长18-23%，HBM平均售价增长23%-28%。随着服务器出货量增加和单机DRAM搭载容量提升，整体DRAM位元需求将优于预期。
