三星电子近期正着力研发一项名为FOWLP-SbS（Side-by-Side并排）的先进芯片封装技术，这项技术有望为Exynos系列芯片带来散热性能的显著提升。据韩媒ZDNET Korea报道，该技术通过改变芯片内部组件的布局方式，实现了散热效率的优化。
当前高端移动处理器普遍采用SoC Die与DRAM内存集成封装的设计，例如三星Exynos 2600便通过这种结构实现了走线便利性与空间占用的双重优化。该芯片在SoC Die上特别引入了HPB散热结构，成功将热阻降低达16%，为移动设备的高性能运行提供了散热保障。
FOWLP-SbS技术的核心创新在于将SoC Die与DRAM内存从垂直堆叠改为水平并排布局，并在两者上方统一覆盖HPB散热层。这种设计不仅扩大了SoC Die与散热层的接触面积，更通过混合键合技术实现了组件间的超短距离高效互联。据技术分析，这种布局方式可使散热效率得到进一步提升。
该封装技术还具备多重优势：成品厚度较传统方案减少约20%，同时支持更厚的SoC Die与DRAM组件，为供电线路设计提供了更大优化空间。不过其并排布局也导致芯片面积增加约15%，这使其更适合应用于折叠屏设备——这类产品内部空间相对充裕，且对芯片厚度有严格要求。
行业观察人士指出，三星此举旨在应对移动设备性能持续提升带来的散热挑战。随着5G通信、高刷新率屏幕等功能的普及，芯片功耗密度不断攀升，传统散热方案已接近物理极限。FOWLP-SbS技术通过架构创新突破了既有限制，可能成为下一代高端移动芯片的标配解决方案。
