SK海力士近日宣布，将在即将举行的CES 2026国际消费电子展上，以“AI技术创新赋能可持续未来”为主题，全面展示其专为人工智能领域优化的新一代存储解决方案。此次展览将于1月6日至9日期间举行，重点呈现公司在高带宽内存、低功耗内存模组及NAND闪存等核心领域的最新突破。
在HBM（高带宽内存）产品线中，SK海力士将首次公开16层48GB HBM4的实物模型。这款产品作为12层36GB HBM4的升级版本，后者已实现业界领先的11.7Gbps传输速率。据技术团队介绍，新一代产品正根据主要客户的需求进行针对性研发，预计将进一步突破现有性能极限。同时展出的还有12层36GB HBM3E解决方案，现场将通过搭载该内存的全球主流AI服务器GPU模块，直观展示其在深度学习训练中的核心作用。
针对数据中心能耗优化需求，公司特别推出面向AI服务器的SOCAMM2低功耗内存模组。该产品采用创新封装技术，在保持高带宽性能的同时，将功耗降低至传统方案的60%以下。同步展出的LPDDR6通用存储器系列则聚焦端侧AI场景，通过优化电路设计和信号传输机制，使移动设备在运行大语言模型时实现更流畅的实时交互体验。
在NAND闪存领域，SK海力士将展示全球首款321层2Tb QLC固态硬盘。这款专为AI数据中心设计的存储设备，通过垂直堆叠技术将单芯片容量提升至2太比特，配合改进的错误校正算法，在保持企业级可靠性的前提下，使单个存储单元的读写寿命延长至行业平均水平的1.8倍。技术白皮书显示，该产品可满足超大规模AI模型训练产生的海量数据存储需求。
展览现场还将设置互动体验区，观众可通过模拟演示系统，直观对比不同存储方案在图像识别、自然语言处理等典型AI任务中的性能差异。工程团队负责人表示，此次展出的全系列存储解决方案均已完成与主流AI加速卡的兼容性测试，部分产品已进入量产验证阶段，预计将在2026年第三季度开始向重点客户供货。
