近日，国产NAND企业传出“成功研制DRAM工程样品”的消息，市场瞬间燃起国产存储突围的期待，相关概念热度飙升。但在半导体业内人士眼中，这份期待更像是一场未醒的狂欢——众人只看到了“造出一颗DRAM”的突破，却忽视了从“样品”到“量产”之间，横亘着一条几乎难以逾越的天堑。
行业共识早已明确：NAND与DRAM虽同属存储芯片，却有着截然不同的技术基因，而跨界最难的，从来不是实验室里的样品攻关，而是规模化、高良率、稳定化的量产突围，这正是NAND厂商跨界之路上最残酷的考验。
架构与工艺的异构性：不可逾越的物理界限
DRAM与NAND虽同属存储芯片，却存在功能、工艺、产线的三重本质差异，构成NAND厂商跨界的核心门槛。功能上，DRAM是CPU、GPU的“工作台”，主打纳秒级高速读写与高带宽，数据易失但直接决定计算效率;NAND是“图书馆”，侧重海量存储与数据持久化，二者功能不可替代，DRAM读写速度约为NAND的3000倍。工艺上，NAND走3D垂直堆叠的“盖高楼”路线，核心是提升存储密度，无需依赖EUV光刻机;DRAM则是微观层面“挖深井”，需构建极窄极深的电容结构，制造难度与高端CPU相当，最先进的14nm级别DRAM需依赖EUV光刻机。产线上，二者生产线从设备配置、工艺参数到厂房设计完全不可复用，NAND工厂转产DRAM需清空现有设备、投入数十亿美金购置新设备并长期调试，巨额沉没成本与漫长周期进一步抬高跨界门槛。
回望全球存储产业的演进史，DRAM市场堪称竞争最残酷、门槛最高的赛道之一，即便曾经叱咤风云的行业巨头，也难逃被淘汰的命运。德国的奇梦达、日本的尔必达，这些曾经代表着本国最高半导体技术水平的企业，都因无法承受DRAM产业高昂的试错成本、剧烈的市场周期波动，以及技术迭代带来的压力，最终黯然退场。奇梦达作为曾经的全球第三大DRAM厂商，2009年因良率不及预期、资本链断裂而破产;尔必达则因长期亏损、技术升级滞后，于2012年被美光收购。从产业规律来看，全球三大存储巨头均以DRAM起家，顺势切入NAND市场，而从NAND逆向“上攻”DRAM，尚无成功先例，奇梦达等巨头的失败，也为当下跨界厂商敲响了警钟。
从样品到商品：跨越商业化的鸿沟
近期，国产NAND企业推出LPDDR5 DRAM工程样品的传闻，让市场看到了国产DRAM突围的希望，但行业内部始终高度审慎。在半导体领域，“样品”与“量产”之间隔着“死亡之谷”——样品仅标志实验室技术走通，与规模化、高良率、稳定化量产相去甚远，这一跨越需面临良率、认证、资本、竞争等多重考验。
良率控制是量产的核心瓶颈，DRAM对存储单元的稳定性、一致性要求极致，一片12英寸晶圆上数十亿个单元，稍有异常便可能导致芯片报废。跨界的NAND厂商缺乏DRAM制造经验，良率爬升异常艰难，奇梦达当年65nm DRAM良率长期低于60%，远低于盈亏平衡点，最终陷入亏损。
下游客户认证漫长而严苛，高端DRAM认证周期平均18个月，服务器级甚至超24个月，需完成上百项指标验证。AI时代客户要求更严苛，新产线认证可能需至2028年才能看到成果，而跨界厂商需从零积累客户信任，面对巨头的客户壁垒难有突破。
巨额资本投入是另一道门槛，一条12英寸DRAM产线初始投资超100亿美元，且需持续投入优化技术、提升良率。DRAM产业周期性极强，新进入者易遭遇“量产即亏损”，奇梦达便因行业低谷期资本链断裂破产，国产NAND厂商双线作战，财务压力更为巨大。
即便实现量产，还需面对巨头垄断的残酷竞争。三星、美光、SK海力士占据全球95%以上市场份额，凭借规模效应、技术优势和专利壁垒挤压新进入者空间。此外，HBM并非跨界捷径，其依赖先进DRAM原片量产能力，缺乏积淀贸然涉足只会浪费资源，这也是奇梦达当年的失败教训之一。
先天的技术鸿沟、历史的失败镜鉴、量产的多重困局，共同构成了这场跨界之战的“三重枷锁”。对于中国存储产业而言，突破DRAM技术垄断的初心可嘉，但更需敬畏产业规律，摒弃“弯道超车”的浮躁心态。NAND厂商跨界DRAM，唯有沉心打磨量产技术、积累客户信任、扛住资本压力，才能有望跨越“死亡之谷”;否则，再亮眼的样品，也终究难以转化为市场竞争力，最终只能沦为跨界困局中的又一个尝试者。
