在近日开幕的SEMICON Korea 2026半导体展会上，SK海力士向业界展示了其在先进存储技术领域的最新探索成果。公司副总裁이성훈（Lee Sunghoon）重点介绍了针对NAND闪存开发的AIP（All-in-Plug）技术，这项突破性方案有望解决3D NAND堆叠工艺中的关键瓶颈。
当前3D NAND制造面临的核心挑战在于层间连接工艺。传统HARC（高纵横比接触刻蚀）技术每次仅能处理100-200层深度的垂直通道，导致厂商不得不采用多堆栈键合方式实现更高堆叠。这种复合工艺不仅推高了生产成本，更对生产效率和产品良率造成显著影响。据行业数据显示，键合工艺带来的额外步骤使整体制造成本增加约15%-20%。
SK海力士推出的AIP技术通过革新蚀刻工艺，实现了单次300层以上的通道加工能力。这项突破将使蚀刻次数减少60%以上，直接降低设备折旧和材料消耗成本。公司技术团队透露，该技术通过优化等离子体分布和刻蚀气体配比，在保持通道垂直精度的同时突破了现有工艺的物理极限。
目前SK海力士正加速推进AIP技术的产业化进程，计划将其率先应用于下一代V11 NAND产品。这项技术若能如期量产，不仅将巩固该公司在3D NAND市场的技术领先地位，更可能引发整个存储行业的技术路线变革。业内分析人士指出，AIP技术的成熟将促使竞争对手重新评估其技术战略，加速高堆叠NAND闪存的成本下降曲线。
