存储芯片市场正经历一场前所未有的涨价潮，供需失衡的态势持续加剧。全球存储芯片龙头SK海力士在最新投资者会议上明确表示，受人工智能领域客户订单激增及洁净室产能物理限制的双重影响，全年存储芯片价格将维持上涨趋势。公司透露，当前客户存储需求普遍无法得到完全满足，部分服务器厂商库存虽已恢复健康水平，但PC及移动端客户库存持续走低，行业整体处于近五年最紧张状态。
供给端制约成为价格攀升的核心推手。SK海力士指出，全行业洁净室空间不足导致产能扩张受限，短期内存储芯片供应难以显著提升。这种物理限制迫使客户意识到重复下单无法增加分配量，反而会进一步推高市场价格。公司特别强调，自身DRAM和NAND库存已压缩至4周左右的极低水平，且预计全年库存将持续下降，这为价格谈判增添了重要筹码。
高端市场供需矛盾尤为突出。SK海力士宣布2026年HBM（高带宽内存）产能已全部售罄，生产计划无法进行实质性调整。由于标准型DRAM供需极度紧张，公司在定价权方面占据绝对优势，目前正与主要客户协商签订多年期长期合约。这种紧张局势甚至可能为2027年HBM业务争取到更有利的合作条款，凸显出行业龙头在技术迭代周期中的战略主动权。
资本开支策略凸显企业理性布局。尽管SK海力士确认今年资本支出将超过去年，但明确表示将严格遵循投资纪律，核心资源集中投向HBM和标准型DRAM领域。NAND业务虽恢复部分321层3D NAND迁移投资，但在总支出中占比维持低双位数水平，避免盲目扩张带来的风险。这种精准投资策略反映出企业对市场周期的深刻把握。
资本市场对行业前景给出积极回应。美东时间2月20日交易中，美股存储板块集体走强，闪迪涨幅达4.65%，美光科技上涨超2%。亚洲市场同步上扬，SK海力士股价创历史新高，三星电子收盘价亦突破纪录。港股市场澜起科技盘中涨幅超8%，兆易创新涨近4%，显示全球投资者对存储芯片行业的强烈信心。当日市场传出三星电子正在就新一代AI存储芯片进行定价谈判，价格较前代产品最高上浮30%，进一步印证行业定价权向头部企业集中的趋势。
行业机构预测数据印证涨价持续性。市场研究公司TrendForce预计，2026年第一季度DRAM价格将上涨90%-95%，NAND闪存价格涨幅达55%-60%。这种抛物线式价格走势虽将为三星、美光、SK海力士等企业带来巨额利润，但可能引发产业链连锁反应。盛宝银行分析指出，三星HBM4定价策略显示高端市场供应依然紧张，企业正在重新夺回定价话语权。
下游产业面临成本压力挑战。英特尔CEO陈立武警告称，AI发展瓶颈已从算力转向内存及基础设施系统，内存短缺问题可能持续至2028年。谷歌DeepMind首席执行官也承认，内存芯片供应链受限正制约AI技术大规模部署。Counterpoint Research研究显示，内存成本攀升可能导致低端电子设备失去经济可行性，部分低价智能手机或将退出市场，电子行业整体利润率面临下行压力。Bernstein分析师提醒，内存价格非理性上涨虽利好头部厂商，但可能对消费电子等关联领域造成严重冲击。
