全球领先的半导体设备制造商阿斯麦近日宣布，其极紫外光刻（EUV）技术取得重大突破。通过优化光源功率系统，该公司成功将极紫外光源的输出功率提升至1000瓦特级别，这项技术改进预计可使芯片制造商的晶圆生产效率显著提高。
作为全球唯一具备商用极紫外光刻设备生产能力的企业，阿斯麦的这项技术升级具有行业里程碑意义。根据技术团队测算，到2030年相关设备的每小时晶圆处理量将较当前水平提升50%，这将直接推动台积电、英特尔等头部企业的先进制程芯片产能扩张。
极紫外光刻机是制造7纳米及以下制程芯片的核心设备，其光源功率直接影响光刻分辨率和生产效率。此次功率提升意味着在相同时间内可以完成更多曝光工序，同时保持极高的工艺精度。行业分析师指出，这项突破将缓解当前全球先进芯片产能紧张的局面，并为3纳米以下制程的量产铺平道路。
据技术白皮书披露，阿斯麦通过改进等离子体约束装置和光路优化系统，在保持光源稳定性的前提下实现了功率跃升。这项改进不需要对现有设备架构进行重大改造，现有客户可通过模块升级方式获得产能提升。英特尔设备工程部门负责人表示，功率提升将使EUV光刻机的综合利用率提高至90%以上，显著降低单位芯片制造成本。
当前全球半导体产业正经历新一轮技术竞赛，极紫外光刻机的产能瓶颈已成为制约先进制程发展的关键因素。阿斯麦的这次技术突破不仅巩固了其市场垄断地位，更为全球芯片制造商提供了重要的产能保障。随着2030年技术目标的逐步实现，极紫外光刻技术有望推动半导体产业进入新的发展阶段。
