阿斯麦（ASML）近日宣布在芯片制造设备光源功率提升领域取得重大突破，其研究人员成功找到将关键设备光源功率从现有600瓦提升至1000瓦的技术路径。这项技术革新预计到2030年可使芯片产量提高50%，同时显著降低单颗芯片制造成本。公司极紫外（EUV）光源首席技术官迈克尔·珀维斯强调，该系统已通过实际生产环境验证，能在客户要求的严苛条件下稳定输出千瓦级功率。
技术核心在于对光刻机中复杂度最高的锡滴发生器进行改良。当前设备通过单次激光脉冲将锡滴加热成等离子体以产生极紫外光，而新系统将锡滴发射频率翻倍至每秒10万次，并采用两次小型激光脉冲进行精准塑形。这种创新工艺使等离子体生成效率大幅提升，为功率跃升奠定基础。珀维斯指出，该技术涉及纳米级精度控制，需要整合激光技术、等离子体物理和先进材料科学等多领域成果。
产量提升效果显著。据NXE系列EUV光刻机业务执行副总裁滕·梵高透露，升级后的设备每小时晶圆处理能力将从目前的220片增至330片。以12英寸晶圆为例，每片可产出数百至数千颗芯片，具体数量取决于芯片尺寸。这意味着在相同时间内，芯片工厂的产能将提升近50%，而更短的曝光时间直接降低了生产成本。
这项突破使阿斯麦在技术竞争中进一步扩大领先优势。EUV光刻机作为7纳米及以下先进制程的核心设备，其光源功率直接决定生产效率和经济效益。公司研究人员已规划更长远的技术路线，珀维斯表示："千瓦级系统的实现证明了技术可行性，我们已看到通往1500瓦的清晰路径，理论上突破2000瓦也不存在根本性障碍。"
技术升级的背后是跨学科协同创新。锡滴发生器的改良涉及精密机械控制、高功率激光调制和等离子体约束等多重挑战。研究人员通过优化激光脉冲时序和锡滴轨迹算法，成功解决了纳米级精度下的能量传输问题。这种系统级创新不仅提升了设备性能，也为未来更先进制程的研发积累了技术储备。
