在最新一期的YouTube视频中，知名科技频道Vật Vờ Studio的主播Long Ngong对三星即将发布的Galaxy S26和Galaxy S26+手机进行了极限性能测试，重点评估了其搭载的Exynos 2600芯片在散热方面的表现。测试结果显示，三星成功解决了长期困扰用户的芯片过热导致的性能下降问题，为高端智能手机市场带来了新的突破。
为了全面验证Exynos 2600芯片的散热能力，Long Ngong在约26℃的室温环境下，对Galaxy S26和S26+进行了高强度测试。他连续运行了《英雄联盟手游》、《原神》和《崩坏》三款对硬件要求极高的主流游戏，并全程开启最高画质设置。测试数据显示，Galaxy S26在运行《英雄联盟手游》时，平均温度仅为32℃左右，展现出该芯片在处理常规高画质游戏时的出色稳定性。
在更高负载的测试中，Galaxy S26+的表现同样令人印象深刻。运行《原神》超过15分钟后，机身正面最高温度约为38℃，背面温度则稳定在37℃至37.5℃之间。这一结果充分证明，Exynos 2600芯片在应对极端游戏场景时，仍能保持高效的散热性能。
在《崩坏》的测试中，尽管游戏帧率偶尔出现波动，但机身温度控制依然出色。正面最高温度为39℃，背面最高温度略超38℃，这一表现远超同类产品。Long Ngong指出，这样的温控水平在智能手机领域极为罕见，标志着三星在芯片散热技术上取得了重大进展。
据分析，Exynos 2600芯片的卓越散热表现得益于三项关键技术的创新应用。首先，该芯片采用了三星最新的2nm GAA（全环绕栅极）工艺，通过垂直堆叠的纳米片结构，使栅极完全包围沟道，显著提升了静电控制能力和整体能效。其次，FOWLP（扇出型晶圆级封装）技术的引入，使芯片形态更薄、更高效。该技术通过晶圆级方法取代传统基板，将输入/输出端子直接集成在硅晶圆上，进一步优化了散热路径。
最后，Exynos 2600还引入了创新的HPB（热传导块）技术。这一技术通过采用与应用处理器直接接触的铜基散热器，并将DRAM移至侧面，有效降低了热阻。据测试，这一设计使热阻改善了高达30%，为芯片在高负载运行时的稳定性提供了有力保障。三星此次在芯片散热技术上的突破，不仅提升了用户体验，也为智能手机行业树立了新的标杆。
