全球晶圆代工领域，台积电持续占据主导地位，去年其市场份额高达70%，在先进工艺方面更是大幅领先同行。目前，台积电已实现2nm工艺的量产，而1nm工艺的研发也在稳步推进。
在1nm工艺建厂筹备工作中，园区土地的准备是首要环节。据悉，总面积达531公顷的台南沙仑园区，将于今年4月进入二期环评阶段，预计在2027年第三季度完成最终环评。环评通过后，该园区将交付给台积电用于建厂，初期规划规模至少为200公顷。
按照台积电此前公布的计划，沙仑园区将建设6座晶圆厂。其中，P1至P3工厂主要面向1.4nm工艺A14，P4至P6工厂则专注于1nm工艺，并且后期不排除开展0.7nm工艺的研发与建设。
在工艺路线规划方面，台积电已公布了详细的时间表。2nm工艺的N2工艺于去年底开始量产，今年苹果、AMD等公司已将其大规模应用于商业产品中。A16工艺将由NVIDIA的费曼GPU首发，今年底进入试产阶段，预计2027年实现量产。A16之后是A14工艺，即1.4nm级别工艺，该工艺将升级第二代GAA晶体管结构并采用背面供电技术，预计在2028年推出。
对于备受瞩目的1nm工艺，台积电此前公布的信息相对有限。按照行业惯例，该工艺可能被命名为A10，这将是台积电首个埃米级工艺。此前，英特尔的20A工艺曾宣称是全球首个埃米级工艺，但实际上并未达到1nm以下的水平，因此这一称号存在一定争议。
目前，台积电1nm工艺的技术细节尚未公布。有传闻称，该工艺可能会将晶体管结构从GAA升级到CFET，甚至有可能采用2D材料，但具体技术路线仍难以确定。
台积电为1nm工艺设定了明确的目标。在2023年，公司提出要在1nm节点实现单芯片集成2000亿个晶体管，通过3D封装技术集成1万亿个晶体管。这一目标与英特尔此前提出的1万亿晶体管集成目标相同，究竟哪家公司能够率先实现，成为行业关注的焦点。
