在NVIDIA GTC 2026大会上，三星电子正式推出面向人工智能计算领域的新一代高带宽内存HBM4E，并同步展示了覆盖芯片、存储及系统层面的多款AI基础设施解决方案。此次发布标志着三星与英伟达在AI硬件生态领域的合作进一步深化，技术布局从存储扩展至芯片制造与终端应用全链条。
作为HBM4的升级产品，HBM4E首次公开亮相即瞄准下一代AI数据中心需求。该内存采用单引脚16Gbps的传输速率，总带宽达4TB/s，较前代提升显著，可满足大模型训练与实时推理场景对内存性能的严苛要求。与此同时，三星第六代HBM4已进入量产阶段，基于10纳米级DRAM工艺，基础速率11.7Gbps，支持动态提升至13Gbps，主要应用于英伟达下一代Vera Rubin计算平台。
芯片制造领域的合作成为此次大会焦点。英伟达CEO黄仁勋透露，三星晶圆代工业务正为其生产用于AI推理的Groq 3语言处理单元（LPU）芯片，预计今年下半年启动出货。这一动态表明，双方合作已从存储器件延伸至先进制程芯片制造，形成从算力核心到数据枢纽的完整技术闭环。
在存储系统层面，三星推出多款针对AI场景优化的组件。SOCAMM2服务器模块采用低功耗DRAM架构，通过高带宽设计与灵活集成方案，已进入规模化量产阶段；PM1763固态硬盘则聚焦AI存储需求，支持更高数据传输速率与存储容量扩展，为大规模数据集处理提供硬件支撑。
终端设备侧的布局同样引人注目。三星展出PM9E3、PM9E1两款NAND闪存产品，以及LPDDR5X与LPDDR6移动内存解决方案。其中，LPDDR5X单引脚速率达25Gbps，LPDDR6更将目标设定在35Gbps，同时通过架构优化显著降低能耗，为边缘AI设备提供高性能与长续航的平衡选择。
除硬件产品外，三星与英伟达还在工业数字化领域展开协作。双方通过整合加速计算技术与Omniverse平台，推动半导体制造环节的数字孪生应用，实现生产流程的实时模拟与自动化优化，为AI驱动的智能制造树立新标杆。
