AIPress.com.cn报道
3月17日消息，三星电子在NVIDIA GTC 2026大会上发布新一代高带宽内存HBM4E，并集中展示面向人工智能计算的多项芯片与系统方案，凸显其与NVIDIA在AI基础设施领域的合作持续深化。
HBM4E作为HBM4的后续产品，此次首次公开亮相，定位下一代AI数据中心。三星表示，该芯片单引脚速度最高可达16Gbps，总带宽达到4TB/s，面向对内存性能要求大幅提升的AI训练与推理场景。同时，公司第六代HBM4已进入量产阶段，采用10纳米级DRAM工艺，基础速度为11.7Gbps，并可提升至13Gbps，主要用于英伟达下一代Vera Rubin平台。
在大会现场，黄仁勋亦提及双方合作进展，指出三星晶圆代工业务正在为其生产用于AI推理的Groq 3语言处理单元（LPU）芯片，并预计将于今年下半年出货。这一表态被视为双方合作从存储领域延伸至芯片制造的重要信号。
除高带宽内存外，三星还展示了覆盖AI基础设施的多类关键组件，包括SOCAMM2服务器模块及PM1763 SSD等。其中，SOCAMM2基于低功耗DRAM设计，已进入量产阶段，强调高带宽与灵活集成能力；PM1763则面向AI存储场景，支持更高数据传输速率与容量需求。
在终端侧，三星亦展出多款面向设备端AI的存储与内存产品，包括PM9E3、PM9E1 NAND，以及LPDDR5X与LPDDR6移动内存。其中，LPDDR5X单引脚速度最高达25Gbps，而LPDDR6目标提升至35Gbps，并进一步优化能效表现。
三星还强调其与英伟达在“AI工厂”方向的合作，通过加速计算与Omniverse平台推动半导体制造中的数字孪生应用，提升生产效率与自动化水平。（AI普瑞斯编译）
