随着人工智能数据中心建设加速推进，全球光通信产业迎来新一轮增长周期。以高速光模块为核心的产业链企业业绩表现亮眼，多家头部厂商同步推进产能扩张计划，带动上游核心材料需求持续攀升。行业分析师指出，技术迭代与产业扩产双重驱动下，磷化铟衬底和薄膜铌酸锂调制器两大材料领域正形成新的投资热点。
在高速光模块领域，中际旭创宣布其1.6T产品已实现量产出货，每季度出货量保持环比增长态势，同时启动3.2T产能建设。该公司透露，当前行业需求远超产能供给，部分关键原材料供应紧张局面尚未缓解。天孚通信在业绩说明会上表示，其1.6T光引擎处于量产阶段，受个别物料短缺影响产量未达预期，正通过供应链协同提升交付能力。
技术升级推动产业链向上游延伸。华泰证券研究显示，800G光模块渗透率快速提升背景下，磷化铟衬底作为光芯片核心材料呈现供不应求态势。该材料可用于制造边发射激光器芯片和探测器芯片，预计2025年全球缺口将超过200万片，6英寸射频级产品价格已涨至每片1.8万元。源杰科技招股书数据显示，衬底在其原材料采购成本中占比达27.21%，位列首位。
全球主要供应商纷纷启动扩产计划。美国AXT公司磷化铟衬底积压订单突破6000万美元，计划到2026年底将产能较2025年翻倍；Lumentum晶圆厂产能已全部预订，未来季度将扩充40%单元产能。国内方面，云南鑫耀投资1.89亿元建设年产30万片4英寸高品质单晶片生产线。但行业专家提醒，由于扩产周期长达2-3年，短期供需缺口仍将存在。
薄膜铌酸锂材料正成为3.2T时代的关键技术突破口。随着光模块单通道速率向400G演进，该材料凭借低功耗、高带宽优势，有望在2028年后成为主流调制方案。LightCounting预测，2031年全球3.2T光模块市场规模将达240亿美元，带动薄膜铌酸锂调制器市场空间接近30亿元，2029-2031年复合增长率达271%。
材料性能优势奠定技术替代基础。薄膜铌酸锂利用强线性电光效应，可在低驱动电压下实现大带宽调制，特别适用于骨干网等长距离传输场景。其高折射率对比特性使器件集成度提升3-5倍，功耗降低40%以上。中金公司对比指出，该材料在带宽、驱动电压等指标上显著优于磷化铟和硅基方案，将成为支撑单波400G传输的核心材料。
国内产业链布局初现成效。在铌酸锂晶体环节，天通股份、南智芯材打破日本垄断实现国产化；薄膜晶圆制备领域，济南晶正、上海新硅聚合掌握键合核心工艺；调制芯片环节，江苏铌奥光电、Hyperlight等企业通过光刻工艺推进TFLN芯片量产。行业人士透露，国内企业已在25G以下速率产品实现批量供货，正在攻关100G及以上高速率芯片技术。
