三星电子在最新财报电话会议中透露，尽管近期通用DRAM的盈利能力已超越高带宽存储器（HBM），但公司仍坚持维持两类产品的均衡生产策略。这一决策基于对市场动态的深度研判，旨在平衡短期收益与长期技术布局。
据三星方面分析，通用DRAM盈利能力反超HBM的现象主要源于定价机制差异。HBM产品通常以年度框架签订供应合同，价格调整存在滞后性；而通用DRAM采用季度议价模式，能够更及时反映市场供需变化。近期通用DRAM价格持续走高，直接推高了该品类的利润空间，导致短期收益结构出现逆转。
面对利润差距，三星电子明确表示不会因此调整产能分配。半导体业务负责人指出，过度倾斜通用DRAM生产可能加剧HBM供应紧张，而HBM作为AI算力核心组件，其长期市场需求增长潜力巨大。一旦供需失衡加剧，HBM的议价能力将显著提升，利润空间有望快速回升。基于这种判断，公司决定保持现有生产比例，确保两类产品同步发展。
在高端产品线布局上，三星电子披露了HBM4的最新进展。得益于差异化性能优势，HBM4已获得全球主要客户的批量订单，现有产能已全部售罄。预计今年下半年供应量将大幅增长，第三季度销售额占比将突破50%，全年占比预计超过半数。为支撑产能扩张，三星已将1c纳米制程技术应用于HBM4生产，显著提升了数据传输速率与能效比。
技术迭代方面，三星正加速推进第七代HBM4E的研发进程。该产品首批工程样品计划于第二季度交付核心客户进行验证，相关生产线改造与供应链配套工作已进入最后阶段。HBM4E在堆叠层数、带宽密度等关键指标上实现突破，将进一步巩固三星在高端存储市场的技术领先地位。随着AI应用场景持续拓展，高带宽存储器的战略价值正日益凸显。
