半导体制造领域迎来新动态，三星在4nm制程技术上取得关键突破。据行业消息，三星晶圆代工的4nm FinFET工艺（SF4X）良率已成功跨越80%大关，标志着该技术正式进入成熟量产阶段。这一进展被视为半导体制造工艺成熟的重要标志，此前该领域长期由台积电主导。
三星的4nm工艺自2021年投入大规模生产以来，初期良率仅约35%。经过长达六年的持续技术攻关与良率提升，终于达到行业公认的成熟标准。目前，台积电在4nm制程上的良率保持在85%至90%之间，三星虽稍逊一筹，但已显著缩小差距。
良率的显著提升直接带动了客户订单的增长。以AI芯片领域为例，被英伟达间接收购的初创公司Groq今年3月将三星4nm晶圆订单量从9000片大幅增加至15000片。三星的4nm客户群体已扩展至多个产业链环节，包括IBM、百度以及一家加密货币企业等，均已采用其4nm解决方案。
产业观察人士分析，4nm良率突破80%意味着三星能够稳定承接对可靠性要求极高的订单，涵盖AI加速器、汽车电子以及高带宽内存（HBM）基底芯片等领域。这为三星在高端芯片代工市场争取更多份额提供了技术支撑。
然而，在更先进的制程节点上，三星仍面临挑战。其2nm GAA工艺良率目前仅约60%，远低于台积电同期宣称的超过90%的水平。在量产进度方面，台积电计划于2025年第四季度启动2nm制程量产，而三星的2nm制程预计最早要到2026年底才能实现初期量产，大规模商业化则需等待至2027年。
