国产AI芯片领域迎来重大进展，寒序科技（ICY Tech）携手三星生态设计伙伴SEMIFIVE，基于三星8纳米eMRAM工艺成功完成边缘AI芯片流片。这一成果标志着亚洲首个8纳米嵌入式MRAM（eMRAM）商业化部署案例落地，国产AI芯片在先进存储与存算架构领域实现关键突破。
作为项目核心技术主导方，寒序科技凭借在MRAM定制开发与存算架构领域的深厚技术积累，成功突破三星8纳米eMRAM工艺的技术壁垒。与常规ASIC项目依赖标准IP调用的模式不同，寒序科技全程主导了MRAM比特单元、外围电路、高带宽读出电路以及大模型推理算子加速等核心环节的设计，而SEMIFIVE则专注于后端硅实现与MPW流片支持，双方构建了"底层架构自研+国际生态落地"的创新合作模式。
技术层面，寒序科技创新性采用"MRAM+SRAM"混合存储架构，针对性解决传统AI芯片面临的"内存墙"难题。通过用eMRAM替代大规模片上SRAM，有效缓解了工艺微缩后SRAM面积效率下降、功耗攀升的问题。该架构结合近内存处理（PNM）与GEMV计算技术，显著加速Transformer推理中的关键算子运算，使芯片在存储密度与能效比指标上超越国际同类产品。
性能表现方面，该芯片可支持20亿参数大模型在端侧设备运行，其推理性能达到国际顶尖水平。在应用场景上，芯片主要面向私有AI Agent、人形机器人等边缘计算领域，同时具备适配具身智能与云端推理中心的扩展能力，可作为GPU/HBM体系的高能效补充方案。eMRAM的非易失性、高带宽、低功耗特性，使其无需持续刷新即可长期保存数据，且单元尺寸仅为SRAM的1/3，特别适合功耗与空间受限的边缘设备。
此次技术突破的背后，是寒序科技与北京大学物理学院应用磁学中心的长期合作。团队依托在自旋电子学与存算一体领域的技术积淀，经过多年研发攻克了8纳米eMRAM工艺的多项技术难题，为国产端侧AI应用提供了核心算力支撑。该成果不仅展现了国产芯片在先进制程领域的研发实力，也为全球AI芯片架构创新提供了新的技术路径。
