国产AI芯片领域迎来重大进展，寒序科技（ICY Tech）与三星生态设计伙伴SEMIFIVE携手，在先进存储与存算架构领域实现关键突破。基于三星8nm eMRAM工艺，双方成功完成边缘AI芯片流片，这是亚洲首个8nm嵌入式MRAM（eMRAM）商业化部署案例，标志着国产芯片在技术自主化道路上迈出重要一步。
作为项目核心技术提供方，寒序科技凭借在MRAM定制开发与存算架构领域的深厚积累，主导了底层核心技术研发。该企业突破三星8nm eMRAM工艺窗口限制，全程参与MRAM比特单元、外围电路、高带宽读出电路及大模型推理算子加速等关键方案设计。SEMIFIVE则承担后端硅实现与MPW流片支持，双方形成“底层架构自研+国际生态落地”的创新合作模式，摆脱了对标准IP调用的依赖。
技术层面，寒序科技创新采用“MRAM+SRAM”混合存储架构，针对性解决传统AI芯片的“内存墙”难题。通过用eMRAM替代大规模片上SRAM，该方案有效缓解工艺微缩后SRAM面积效率低、功耗高的问题。结合近内存处理（PNM）架构与GEMV计算技术，芯片在Transformer推理关键算子加速上表现突出，可支持20亿参数大模型在端侧运行，性能比肩国际顶尖推理芯片路线，并在存储密度与能效比上实现超越。
该芯片聚焦私有AI Agent、人形机器人等端侧场景，同时适配具身智能与云端推理中心需求。作为GPU/HBM体系外的高能效推理加速模块，其核心优势在于eMRAM的非易失、高带宽、低功耗特性。这种存储介质无需刷新即可长期保存数据，单元尺寸仅为SRAM的1/3，特别适合功耗与空间受限的边缘设备，为国产端侧AI应用提供关键算力支撑。
此次技术突破源于寒序科技与北京大学物理学院应用磁学中心的长期合作。依托自旋电子学与存算一体领域的技术积淀，研发团队在MRAM材料特性、电路设计及架构优化等方面取得系列创新成果，为芯片商业化落地奠定基础。随着8nm eMRAM工艺的成熟应用，国产AI芯片在边缘计算领域的竞争力将显著提升。
