全球半导体制造领域迎来重要突破，周星工程近日宣布成功向国际知名半导体企业交付首台原子层生长（ALG）设备。该设备作为完整的ALG晶体管集成系统，将直接应用于下一代3D垂直堆叠半导体晶体管的生产，标志着半导体制造技术向三维化转型迈出关键一步。
随着半导体器件持续微型化，传统平面晶体管已逼近物理极限。当电路线宽缩小至纳米级时，晶体管漏电流问题显著加剧，导致芯片功耗呈指数级增长。为突破这一瓶颈，全球产业正加速向鳍式场效应晶体管（FinFET）、环栅晶体管（GAA）等三维结构转型，而垂直堆叠晶体管单元被视为未来核心发展方向。
此次交付的ALG设备专为解决高纵横比结构制造难题设计。与传统原子层沉积（ALD）技术"逐层堆雪"的薄膜生长方式不同，ALG技术通过类似冰层冻结的原理，能够形成更致密、更坚硬的薄膜结构。实验数据显示，该技术可将薄膜均匀性提升至99.9%以上，同时减少30%的光刻刻蚀工序，显著降低生产成本。
技术突破体现在材料兼容性方面，ALG设备突破了传统工艺对衬底材料的限制。除常规非存储芯片、存储电容器等应用外，该技术还可延伸至太阳能电池和显示面板领域。特别在化合物半导体制造中，其低杂质特性使氮化镓、砷化镓等第Ⅲ-Ⅴ族材料，以及磷化铟等第Ⅲ-Ⅵ族材料的器件性能得到质的提升。
据技术文档披露，该设备采用创新性的三维薄膜构建工艺，通过重复原子层沉积步骤直接形成立体结构。这种设计不仅确保了晶体管步进覆盖率达到行业领先水平，更攻克了玻璃衬底等特殊材料的高杂质浓度生产难题，为柔性电子、光通信等新兴领域提供技术支撑。
目前周星工程已与四大洲的多家半导体企业建立合作关系，合作范围覆盖设备研发、工艺验证到量产导入的全链条。虽然受保密协议限制未披露具体客户信息，但业内人士推测此次交付对象很可能是存储芯片或逻辑芯片领域的头部企业。
