存储芯片行业的市值竞赛近期进入白热化阶段。继三星电子率先突破万亿美元市值后，美光科技与SK海力士相继加入“万亿俱乐部”——前者凭借单日19.29%的股价涨幅创下历史新高，后者盘中股价一度飙升11%，三大DRAM原厂市值首次齐聚万亿美元量级。这一现象背后，是人工智能技术爆发引发的HBM（高带宽内存）需求激增，而这三家企业恰好垄断了全球HBM市场。
作为AI芯片的关键组件，HBM的产能争夺战已持续多年。SK海力士虽以59%的市场份额保持领先，但美光科技正以惊人速度缩小差距。据集邦咨询数据，2024年美光在HBM生产位元占比将从20%提升至28%，而SK海力士则从59%降至50%。这种转变源于美光跳过HBM3直接押注HBM3e的战略选择，使其成为英伟达去年HBM3e的主要供应商之一，与SK海力士形成双雄格局。
技术迭代加剧了市场竞争。随着HBM4进入量产周期，三星电子凭借与英伟达的深度合作实现反扑。今年3月，三星宣布第六代HBM4正式量产，同时为英伟达最新架构Vera Rubin提供36GB 12-high规格产品。美光虽同步宣布HBM4出货，但其高管在财报会议上坦言，当前重点仍是确保HBM4良率提升速度超越前代产品。这种技术竞赛直接反映在产能规划上——三大厂商均计划在2027年前将HBM产能扩张至少三倍。
财务数据揭示了市场格局的微妙变化。美光科技最新财报显示，其季度营收同比增长196%至238.6亿美元，净利润暴增至137.9亿美元。但将视角拉长至整个存储市场，三星仍以37.1%的DRAM市占率稳居榜首，SK海力士以33.1%紧随其后，美光20.8%的份额虽较上年提升，但与前两者仍有差距。在NAND闪存领域，美光更以11.6%的市占率跌出前三，凸显其业务结构偏科问题。
行业分析师指出，存储芯片供应紧张局面可能持续至2027年。三大厂商当前均处于产能爬坡关键期，三星正在韩国平泽建设全球最大半导体工厂，SK海力士则计划投资120万亿韩元扩建M15X晶圆厂，美光也宣布将在新加坡增设HBM专用生产线。这种集体扩张虽能缓解短期缺货，但也可能为未来产能过剩埋下隐患。值得注意的是，HBM在DRAM总产能中的占比持续攀升，美光以26%的比例领先同行，这种结构性优势或将成为其突破市场格局的关键筹码。
