美光科技近日在日本广岛正式启动了一项半导体工厂扩建工程，这一项目旨在强化其在先进存储芯片领域的生产能力。据悉，该扩建项目总投资高达1.5万亿日元，按当前汇率折算约为631.14亿元人民币，凸显了美光在全球半导体产业布局中的雄心。
日本经济产业省（METI）对这一项目给予了大力支持，承诺提供最高5000亿日元的资金援助，折合人民币约210.38亿元。这笔资金将助力美光科技顺利推进工厂扩建，提升生产效率和技术水平。项目建设工作由美光科技亲自操刀，确保项目能够按照既定计划稳步推进。
扩建后的工厂将专注于生产高带宽内存（HBM）等先进芯片，这些芯片是人工智能、数据中心等高科技领域的关键组件。美光科技的首席执行官桑杰·梅赫罗特拉在出席项目启动仪式时透露，首片用于AI核心存储技术的HBM生产晶圆已经在广岛工厂成功制造。他强调，美国的技术创新与日本的精湛制造工艺相结合，将催生出世界一流的产品，而非妥协之选。
新工厂预计将在2028年正式投产，届时将主要服务于英伟达等全球科技巨头，满足他们对高性能存储芯片的迫切需求。这一项目的实施，不仅将提升美光科技在全球半导体市场的竞争力，也将进一步巩固日本在全球半导体产业链中的重要地位。
