杭州镓仁半导体近日宣布，其全球首条兼容6英寸与8英寸的氧化镓同质外延量产线已全面投入运营。这一突破标志着我国第四代超宽禁带半导体材料实现规模化量产，首批6英寸（100）面氧化镓同质外延晶圆已交付国内头部晶圆厂进行器件试样验证。
长期以来，全球氧化镓产业受制于2至4英寸小尺寸产能瓶颈，海外厂商始终无法实现6英寸及以上同质外延的商业化供货。小尺寸晶圆因单批芯片产出量有限，导致制造成本居高不下，难以满足新能源、特高压等领域对大批量工业化制造的需求。镓仁半导体通过技术创新，成功打通了从单晶生长、衬底加工到同质外延的全流程量产链路。
该产线依托企业自主研发的铸造法单晶长晶技术与定制化MOCVD外延工艺。其中，自研铸造法可稳定生长超厚氧化镓晶体，显著减少贵金属铱的消耗。配合超薄衬底加工技术，衬底单片成本降低超过80%，单块晶体的出片量提升至传统工艺的3至4倍。
工艺数据显示，产线产出的外延片厚度超过10微米，膜厚均匀性方差低于1%，晶体缺陷密度得到大幅优化。由于同质外延晶格与衬底完美匹配，氧化镓超高耐压、低导通损耗的材料优势得以充分释放。目前，该产线已成为全球唯一具备6英寸氧化镓同质外延稳定供货能力的生产线。
值得一提的是，8英寸工艺已完成技术验证并预留了扩产空间，其技术水平领先海外同类方案至少三年。这条兼容产线可直接复用国内现有成熟晶圆制造设备，无需新建专属产线，进一步降低了产业化的门槛和成本。
氧化镓材料因其独特的性能，适配800V车载快充、光伏储能、高压电网、日盲紫外探测等高端应用场景。此次产线的投产，正式推动氧化镓从实验室研发阶段迈入商业化批量供货阶段，为相关领域的技术升级和产业变革提供了有力支撑。
目前，多家海外企业及科研机构已陆续向镓仁半导体下单，部分合作客户已开展长期稳定采购，显示出国际市场对我国氧化镓技术的认可和需求。
