俄罗斯纳米技术领域迎来新进展，位于莫斯科的泽列诺格勒纳米技术中心（ZNTC）在电子束光刻设备研发上取得突破，成功制造出项目代号为“Progress ELL 150”的样机，其目标设计规格为150nm。该项目的推进依托于俄罗斯联邦“科学技术发展”国家计划。
ZNTC总经理阿纳托利·科瓦廖夫透露，目前有两台“ELL 150”样机正在进行为期约四个月的综合测试，后续还将对图形成像精度等关键技术参数展开验证。其中一台样机将被运往距离泽列诺格勒约2000公里的某地，不过具体地点未对外公布。
公开资料表明，ZNTC成立于2010年，由俄罗斯纳米技术集团、莫斯科国立电子技术学院等多家机构共同组建。2025年，该中心完成了350nm投影式光刻设备“Progress STP - 350”的研发工作，并与俄罗斯半导体企业集团Element旗下公司签订了首台设备供应合同。“STP - 350”能够处理150毫米和200毫米晶圆，是ZNTC与白俄罗斯设备制造商Planar合作开发的成果，计划应用于功率电子、汽车电子和工业控制等成熟制程领域。
从ZNTC此前的一份运输招标文件可知，“ELL 150”与传统光刻机有所不同。传统光刻机依靠光源和掩模对晶圆进行高速曝光，需要先制作带有电路图形的光掩模，再将图形反复投射到晶圆上。而“ELL 150”作为电子束直写设备，具有无掩模光刻的特色，它可利用聚焦电子束，直接在涂有抗蚀剂的基板上“绘制”图形。
在操作模式上，“ELL 150”具有灵活性。在直接写入模式下，它无需为每种设计单独制作光掩模；在掩模写入模式下，则可承担制作光掩模母版的任务。然而，这种技术也存在一定局限，其生产效率较低。全球成熟制程使用的深紫外光刻机通常以每小时处理数百片晶圆为目标，而电子束光刻设备需逐点扫描图形，易受图形面积、复杂度、束流和抗蚀剂灵敏度等因素限制，难以满足消费电子芯片的大规模制造需求，更适合用于研究、原型验证和少量定制芯片生产。但对于俄罗斯订单规模有限、型号繁多的航天、工业和专用电子项目而言，省去昂贵的掩模制作成本，也能缩短设计验证周期。
有俄罗斯专家指出，俄罗斯在光掩膜领域面临诸多挑战。国内缺乏65nm以下制程的本土工程技术体系、90nm以下制程的光刻胶和元件基础，同时缺少防止电子束在大面积写入时受邻近效应、图形均匀性和热漂移等问题影响的解决方案。该专家还提到，俄罗斯缺乏类似中国“十一五”期间启动的集成电路装备重大专项，即通过企业牵头、科研院所和高校协同，对关键设备、材料和工艺进行长期攻关的战略。若俄罗斯能建立类似战略，有助于缩小国内外差距，生产安全电子产品，并扩大本国研发规模。
目前，“ELL 150”仍有多项关键信息未公开，如写入速度、套刻精度、可处理基板尺寸、连续运行稳定性以及核心零部件国产化比例等。自2022年以来，欧美持续收紧对俄罗斯的半导体、电子元件和相关制造技术出口限制。在此背景下，若“ELL 150”能通过测试、实现稳定交付，并在关键零部件和材料方面形成可持续供应，将有助于俄罗斯在光掩模制造、原型验证和小批量专用芯片生产等特定环节，减少对进口设备和境外服务的依赖。
