存储芯片领域迎来重大突破，SK海力士与闪迪（Sandisk）在“FMS 2026”闪存峰会上共同宣布推出高带宽闪存（HBF）的首个标准规范，并详细披露了其性能参数、生态合作进展及量产规划。这一技术被定位为介于高带宽内存（HBM）与固态硬盘（SSD）之间的新型存储层级，旨在同时满足人工智能（AI）场景对高速数据传输与大容量存储的双重需求。
HBF的核心创新在于融合了HBM的带宽优势与NAND闪存的容量扩展能力。通过采用8层或16层NAND芯片堆叠设计，该技术最高可支持512GB容量，并划分出三个性能等级（Grade 1~3），实现从0.4TB/s至3.0TB/s的可扩展带宽。为确保跨平台兼容性，HBF接口采用行业标准UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）协议，可灵活连接GPU、CPU等不同类型处理器，为异构计算架构提供硬件支撑。
该标准的制定历时近一年。2025年8月，SK海力士与闪迪启动HBF标准化合作；2026年2月，双方联合成立HBF联盟，吸引谷歌（Google）、Tenstorrent等科技企业加入技术验证与标准制定工作。此次发布的标准规范已通过全球最大开放式数据中心技术组织OCP（Open Compute Project）正式公开，定位为面向全行业的开放标准，而非企业专有技术。
在峰会现场，SK海力士通过多维度展示凸显技术实力。解决方案开发部门负责人Kim Chun-sung与下一代产品规划负责人Kang Uk-song在主题演讲中提出“层级内存（Tiered Memory）”架构理念，强调通过HBF打破传统内存与存储的界限，为下一代AI基础设施提供系统性效率提升方案。8月6日的圆桌论坛上，三家企业代表围绕“用HBF突破内存墙”展开讨论，深入分析该技术在AI训练与推理场景中的潜力。
技术展示环节同样亮点纷呈。SK海力士首次公开第十代（V10）375层4D NAND晶圆原型，其单位功耗性能较前代提升2.5倍，更适配数据中心等高能效需求场景。公司宣布将于2027年初启动基于该技术的高性能企业级SSD（eSSD）量产，进一步强化在AI存储市场的竞争力。不过，HBF具体产品的量产时间表尚未明确。
据技术文档披露，HBF的堆叠架构通过垂直集成多层NAND芯片实现容量扩展，同时采用定制化控制器优化数据路径，在保持低延迟特性的前提下提升传输效率。其UCIe接口支持芯片级互连，可与现有HBM模块共存于同一计算平台，为AI加速器提供更灵活的内存-存储配置方案。行业分析师指出，这一技术有望缓解AI大模型训练中的“内存墙”问题，推动数据中心架构向更高密度、更低功耗的方向演进。
