近日，半导体行业迎来一则重磅消息：台积电在先进制程领域取得重大突破，成功研发出A16（1.6nm）埃米级工艺。这一工艺采用行业领先的晶圆背面供电BSPDN技术——Super Power Rail（SPR，超级电源轨），标志着芯片制造技术迈向新的高度。
据介绍，Super Power Rail技术的核心创新在于将供电电源线从晶圆正面转移至背面。通过VB垂直背面接触孔，该技术能够直接向晶体管源极和漏极供电，实现了供电线路与数据信号线在物理空间上的完全分离。这一设计有效消除了资源争抢瓶颈，不仅减少了电力损耗，还显著提升了芯片的能效表现。与此同时，台积电在研发过程中充分考虑了设计兼容性，尽量保留了正面栅极结构与布局面积，为现有设计方案的平滑过渡提供了保障。
与台积电现有的2纳米改良版N2P工艺相比，A16工艺在性能上实现了显著提升。数据显示，A16工艺可使芯片速度提高8%至10%，功耗降低15%至20%，同时芯片集成度提升8%至10%。这些改进使得A16工艺特别适合AI和高性能计算（HPC）等对算力和能效要求极高的应用场景。根据规划，台积电将于2026年第四季度启动A16工艺的量产工作。
值得一提的是，A16工艺不仅是一项独立的技术突破，还承担着承前启后的关键角色。作为下一代1.4nm（A14）工艺研发的中间过渡平台，A16的成功研发为A14工艺的顺利推进奠定了坚实基础。按照原定计划，A14工艺将于2028年实现量产，而A16的研发进展顺利，使得这一时间表有望保持稳定。
