英特尔首席财务官David Zinsner在德意志银行技术大会上透露，即将发布的Intel 14A制程工艺在缺陷控制方面取得重大突破，其缺陷密度曲线达到自22nm节点以来的最优水平。这一技术节点曾因首次引入FinFET晶体管技术而闻名，尽管初期面临良率挑战——首批Ivy Bridge芯片甚至出现零良率情况，但最终通过技术迭代实现稳定量产。对比英特尔近年制程发展，14nm与10nm工艺的推进曾遭遇显著挫折，此次14A的突破被视为技术复兴的关键信号。
根据最新技术路线图，14A工艺的量产时间较原计划大幅提前。CEO陈立武在财报会议上宣布，风险试产将于2027年下半年启动，2028年实现全面量产，较此前2029年的规划提前整整一年。技术指标显示，14A在缺陷密度和晶体管性能上已超越前代18A工艺的同期水平，其0.5版本工艺设计套件（PDK）已向客户开放，0.9版本预计于2026年10月发布。该工艺将采用第二代RibbonFET环绕栅极晶体管、PowerDirect背部供电技术，并引入ASML最新High-NA EUV光刻设备。
在封装技术领域，英特尔的EMIB-T技术计划于2027年大规模量产。这项技术通过在有机基板中嵌入硅桥实现高密度互连，其升级版集成硅通孔结构后，可使ASIC芯片直接从基板获取电源，支持单封装内数千瓦级功耗的高性能计算。目前，博通与meta等企业正评估将部分台积电CoWoS封装项目迁移至EMIB平台，谷歌2027年AI芯片已采用该技术完成验证，良率达90%。据行业分析，EMIB-T方案在封装环节的成本较CoWoS可降低最高50%。
为支撑代工业务扩张，英特尔正加速产能布局。亚利桑那州Fab 62与Fab 52工厂已完成建设准备，即将进入设备安装阶段；俄勒冈州研发晶圆厂将承担14A工艺的试产任务；俄亥俄州工厂一期项目预计直接参与2028年的量产工作。公司预计，14A制程与EMIB-T封装技术将从2027年底开始为Intel Foundry业务开拓市场，实质性营收增长将于2028至2029年显现。这一系列动作标志着英特尔在先进制程与封装领域向台积电发起全面挑战。
