英特尔在先进制程技术领域取得重要进展，其14A（1.4纳米级）制程的缺陷密度控制表现超出预期，达到自22纳米制程以来的最佳水平。公司首席财务官David Zinsner在德意志银行科技大会上表示，这一进展在英特尔近年来的制程开发中尤为突出，甚至超越了曾被视为行业标杆的22纳米制程。
14A制程计划于2027年下半年进入风险量产阶段，2028年实现大规模量产。尽管距离正式投产仍有约两年时间，但客户端已出现显著变化：英特尔内部设计团队已启动基于14A的产品开发工作，而外部代工客户也从单纯的技术评估转向关注产能分配与供应节奏。Zinsner透露，CEO陈立武带领的团队每周与客户会面，客户对14A的关注点已从技术参数转向实际产能获取。
22纳米制程作为英特尔首个采用FinFET技术的节点，曾引领行业技术变革。该制程于2012年随Ivy Bridge处理器上市，凭借领先优势为英特尔CPU产线服务至2016年，并持续应用于其他产品线。竞争对手直到2014至2015年的14/16纳米节点才跟进FinFET技术。Zinsner强调，此次14A的对比基准是22纳米在相同开发阶段（距量产约两年时）的缺陷下降轨迹，而非两代工艺的绝对缺陷水平直接比较。他特别指出，16年间晶圆检测设备的进步已改变缺陷计量标准，且缺陷密度与良率并非直接等同。
14A制程的技术复杂度远超22纳米，其采用第二代环栅（GAA）RibbonFET晶体管、第二代背面供电PowerDirect技术以及High-NA EUV光刻工艺。在如此高难度的技术组合下，英特尔仍能实现缺陷密度的快速下降，这一表现在公司近年制程开发中尤为亮眼。此前，14纳米因良率问题推迟一年量产，初代10纳米制程失败，20A制程被取消，18A量产时缺陷密度仍偏高，而Intel 4和Intel 3制程的进展几乎未对外公开。
内部设计团队的选择被视为重要信心指标。Zinsner称，这支以高标准著称的团队选择14A进行产品开发，对技术成熟度构成有力背书。外部客户态度的转变同样显著，从技术评估阶段直接跨越至产能谈判，反映出市场对英特尔先进制程的认可。英特尔方面表示，14A制程有望像22纳米一样，成为具有长期生命力的技术节点，为公司及客户提供稳定的技术支持。
