在集成电路产业向先进制程加速迈进的进程中，良率提升已成为制约行业发展的核心挑战。随着制程节点逼近物理极限，传统工艺窗口持续收窄，光刻与刻蚀环节的系统性良率损失问题愈发突出。作为国内良率管理领域的领军企业，东方晶源在EDA²主办的第四届设计自动化产业峰会IDAS 2026上，系统展示了其基于人工智能技术构建的全新良率优化体系，为突破先进制程瓶颈提供了创新解决方案。
传统光学邻近校正（OPC）模型在先进制程中暴露出结构性缺陷。东方晶源HPO战略产品研究中心总监张生睿指出，当前业界普遍采用的OPC建模方式存在两大局限：其一，模型标定依赖简化测试图形，难以准确反映复杂版图在工艺窗口边界（PW condition）下的实际表现；其二，未纳入刻蚀效应建模，无法预测刻蚀环节产生的热点。这种局限性导致新产品研发往往需要经历6-8轮流片迭代才能收敛，显著推高了研发成本与周期。
针对行业痛点，东方晶源创新性地提出"Total Mask"解决方案，通过构建多层次AI工艺反馈模型，在芯片制造流程中设置三道关键检测关卡。该体系包含三个核心工具：面向设计环节的DMC（Design Manufacturability Check）系统，通过AI快速光刻反馈引擎实现从版图到硅片轮廓的直接预测；针对掩模环节的PHD（Patterning Hotspot Detection）技术，基于SEM图像构建独立于OPC模型的动态检测系统；以及覆盖刻蚀环节的vPWQ（Virtual PWQ）平台，采用混合建模方式精准刻画刻蚀偏差特征。经实际验证，该方案可将流片迭代次数压缩至2-3轮，显著提升研发效率。
在三维形貌检测领域，东方晶源突破传统二维检测的固有局限，推出3D-PHD技术。该技术通过PanGen Sim严格仿真引擎生成完整光刻胶三维轮廓，再利用PHD模型实现全芯片快速扫描。创新性的"仿真-检测-复核"闭环机制，将三维热点检测时间从1.8年压缩至8小时，有效捕捉顶部损耗、侧壁角偏差等传统方法难以检测的缺陷。真实工艺案例显示，该技术可将形貌级缺陷漏检率降低40%以上，为良率提升提供关键支撑。
东方晶源已构建起完整的自主工具链，涵盖PanGen计算光刻平台、SEpA系列电子束量检测装备及数据分析系统。该体系形成"软件指导硬件、硬件反哺软件"的正反馈飞轮：AI模型指引量检测装备精准定位高风险区域，产线数据持续优化模型精度。这种软硬协同的创新模式，为国产EDA工具在计算光刻领域实现弯道超车提供了可行路径。
峰会期间，东方晶源通过专题展台系统展示了其技术成果。工业和信息化部电子信息司副司长郭力力等领导在参观时，详细了解了公司计算光刻EDA工具及系统级良率解决方案。东方晶源董事长俞宗强博士表示，公司将继续深化AI与集成电路制造的融合创新，助力国内晶圆厂突破先进制程研发瓶颈，提升产业链自主可控能力。
