全球半导体行业正加速布局下一代光刻技术，多家存储芯片巨头相继公布High NA EUV（高数值孔径极紫外）光刻技术的应用路线图。SK海力士在最新声明中透露，计划于2028年将该技术引入DRAM大规模生产，目前正评估是否加入由ASML主导的12英寸掩膜生态系统联盟。
ASML于本月8日宣布，已与台积电、三星电子、英特尔达成合作协议，共同推动High NA EUV技术向更大面积的12英寸掩膜（光罩）转型。这项技术突破将使芯片制造商能够更高效地生产更复杂的集成电路，为先进制程的量产奠定基础。SK海力士作为全球第二大DRAM供应商，虽未立即加入联盟，但表示正在密切关注技术进展并评估合作可能性。
在存储芯片领域，三星电子同步确认了类似时间表，明确将在2028年把High NA EUV技术应用于先进DRAM内存的量产。另一家美国存储巨头美光则采取分阶段策略，其第7代10nm级DRAM工艺1δ（1-delta）将率先导入最新一代EUV光刻设备，为后续技术升级铺路。行业分析师指出，多家企业集中布局2028年节点，反映出全球半导体产业对突破物理极限、维持摩尔定律的迫切需求。
High NA EUV技术通过提升光学系统的数值孔径，显著增强了光刻分辨率，被视为延续芯片制程微缩的关键。与传统EUV相比，该技术可减少多重曝光次数，从而降低生产成本并提高良率。随着AI、高性能计算等领域对存储密度和能效的要求不断提升，先进光刻技术的竞争已成为头部企业保持技术领先的核心战场。
