近期，三星电子在高端存储芯片领域的布局取得了新的突破。据业内报道，继AMD之后，三星电子已成功赢得全球知名芯片设计公司博通的青睐，成为其第五代高带宽内存（HBM3E）的供应商。
据了解，三星电子为博通量身定制的8层堆叠HBM3E产品，已经顺利通过了严格的认证测试。这一系列测试自今年3月启动以来，三星凭借出色的性能和稳定性，赢得了博通的信赖，最终促成了此次重要合作。
博通的回归对三星电子来说意义重大。作为全球第三大无晶圆厂芯片设计巨头，博通在AI数据中心芯片设计领域具有举足轻重的地位，与谷歌、meta等科技巨头保持着紧密的合作关系，并已成为AI芯片领导者英伟达的有力竞争对手。此次合作不仅彰显了三星电子在高端存储芯片领域的实力，也为其进一步拓展AI内存市场奠定了坚实基础。
值得注意的是，博通在升级至第五代HBM3E时曾一度选择转向竞争对手SK海力士。然而，三星电子凭借卓越的产品性能和优质的服务，最终成功赢回了这一重量级客户，再次证明了其在存储芯片领域的领先地位。
与此同时，三星电子在AI内存市场的渗透力也在不断增强。就在不久前，全球第四大无晶圆厂公司AMD宣布，其下一代AI加速器MI350X和MI355X将采用三星的12层堆叠HBM3E。这一消息无疑为三星电子在AI内存市场的发展注入了强劲动力。
三星电子还在积极推进其12层HBM3E产品通过英伟达的认证，并有望实现供应。随着AMD、博通等顶级客户的接连认可，以及针对英伟达的市场策略，三星电子正全力以赴巩固其在高速增长的AI内存市场的领导地位。
