【ITBEAR科技资讯】5月10日消息，据韩媒The Elec披露，为强化在HBM(High Bandwidth Memory)业务领域的竞争力，三星电子已对其HBM内存开发部门实施了“双轨化”改革。
此次改革的具体举措是，现有的DRAM设计团队将继续负责HBM3E内存的进一步研发，而新近在三月份成立的HBM产能质量提升团队则将聚焦于下一代HBM内存——HBM4的开发工作。这个新设立的专门团队由三星电子DRAM开发副总裁Hwang Sang-joon领导，并直接向存储器业务部总裁李禎培报告。三星近期还为该团队调配了额外的人力资源。
HBM内存以其高带宽特性，已成为AI算力芯片的重要辅助，并在业界备受关注。而新一代的HBM4内存预计将带来显著的变化，不仅增加了产品的可能性，同时也提升了研发的挑战性。据了解，HBM4内存在堆叠技术上将普遍采用12层，甚至首发可能达到16层，但这也会增加晶圆翘曲的风险。此外，HBM4内存的基础裸片设计也趋向于定制化，以满足用户多样化的需求。
据ITBEAR科技资讯了解，尽管面临技术挑战，但三星电子对HBM4的研发充满信心。然而，市场竞争也日益激烈。据报道，其竞争对手SK海力士已经将12层堆叠版本的HBM4内存的量产时间提前至2025年下半年，而三星电子目前仍计划在2026年实现这一目标。
通过组建专门的HBM4研发团队，三星电子旨在解决内存开发过程中的技术难题，缩短研发周期，以期在HBM4技术节点上提升其市场竞争力，并与SK海力士等竞争对手争夺市场优势。
