在现代科技奇迹的背后，隐藏着一项至关重要的工艺——光刻，它正是智能手机等高性能电子设备核心芯片制造的魔法之手。这些看似微不足道的芯片内，实则蕴藏着数十亿个精密的晶体管，它们的存在得益于光刻技术这一芯片制造中的核心步骤。
光刻，一种被形容为宇宙中最精细的“光绘艺术”，它的任务是在微小的硅片上绘制出临时性的图案，这些图案如同蓝图一般，指导后续的蚀刻或离子注入工序，对硅片进行精准的“雕刻”或“染色”。硅片，就像是等待艺术家雕琢的画布；而光刻，则是那位以光为笔，以光刻胶为墨的艺术家。
光刻工艺的过程，可以概括为一个精密的五步循环。首先，硅片被均匀地涂抹上一层特殊的光刻胶，这种材料对特定波长的光线极为敏感，仿佛为硅片披上了一层神秘的面纱。接下来，便是光刻的灵魂步骤——曝光。一束经过精心调控的紫外光，通过一块刻有电路设计图的掩模版，经过一系列复杂的光学系统后，将设计图案精确地投射到光刻胶上。
光的波长，是决定光刻精度的关键因素。浸没式193纳米光刻技术，能够绘制出约37纳米的精细线条；而极紫外光刻（EUV）技术，更是使用了波长仅为13.5纳米的光，使得绘制出15纳米级别的极细微结构成为可能，这也是制造当今最先进芯片的关键所在。
曝光完成后，晶圆进入显影步骤。经过化学溶液的处理，光刻胶上的图案逐渐显现。根据光刻胶的类型，被光照到的区域会被溶解掉，从而留下掩模版上的图案。此时，一个临时的、精准的图案已经在硅片上形成。
随后，这个光刻胶图案便作为掩模，指导后续的蚀刻或离子注入工序对硅片进行加工。在蚀刻过程中，未被光刻胶覆盖的区域会被蚀刻掉，形成电路；而在离子注入过程中，特定区域的硅片会被注入离子，改变其电学性能。完成这些步骤后，光刻胶的使命也随之结束，它会被完全清除，为下一个图案的绘制做准备。
