全球碳化硅功率器件市场迎来重要合作动向。英飞凌与罗姆两大半导体巨头近日签署谅解备忘录，宣布在特定碳化硅（SiC）产品领域建立互为第二供应商的合作关系。这一举措旨在应对新能源汽车、可再生能源及高性能计算领域对碳化硅器件日益增长的需求，同时通过供应链协同降低行业风险。
作为电力电子产业升级的核心材料，碳化硅在电动汽车车载充电器、光伏逆变器、储能系统及AI数据中心电源等高功率场景中展现出显著优势。然而，其复杂的制备工艺和供应链瓶颈导致市场长期面临供应紧张局面。此次合作通过建立标准化封装体系，允许客户在两家公司产品间实现无缝切换，相当于为供应链构建了"备份通道"，既增强了设计灵活性，又降低了因单一供应商产能波动带来的风险。
从客户视角看，这种"可互换性"设计大幅缩短了产品开发周期，提升了采购决策的弹性。以特斯拉、比亚迪为代表的整车厂商，以及逆变器制造商将因此受益，其平台化产品的全生命周期成本有望显著降低。战略层面，尽管双方在SiC器件市场存在竞争关系，但通过兼容封装标准的建立，反而增强了在与下游客户谈判中的议价能力。
技术互补成为此次合作的核心驱动力。英飞凌推出的顶部散热封装平台（涵盖TOLT、D-DPAK、Q-DPAK等系列）采用2.3毫米统一高度设计，通过优化散热路径消除了对绝缘金属基板的依赖，使系统成本降低的同时，功率密度提升最高达两倍。该技术特别适用于对空间和效率敏感的电动汽车快充场景，寄生电感的减少还带来了更低的开关损耗。
罗姆则贡献了其独特的DOT-247半桥模块技术，该设计通过并联两个TO-247封装实现模块化，使热阻降低15%、寄生电感减少50%，功率密度达到传统方案的2.3倍。配合其第四代沟槽型SiC MOSFET在开关损耗与短路耐受能力间的平衡优化，该技术特别适用于牵引逆变器和数据中心电源等高电流场景。根据协议，双方将相互引入对方的核心技术，推动封装标准化的同时，为客户带来更丰富的产品选择。
这种"合作中竞争"的模式预示着功率半导体行业的新趋势。在碳化硅仍处于高速渗透期、供给短缺远超过剩风险的背景下，厂商通过兼容标准、互认封装等方式扩大市场容量成为必然选择。英飞凌凭借全球客户基础和车规级可靠性经验，与罗姆在汽车功率半导体市场的深厚积累形成互补，双方的合作不仅强化了供应链韧性，更推动了SiC技术在多场景的加速落地。
值得关注的是，此次技术整合不仅限于产品叠加，更实现了封装理念的深度融合。英飞凌的标准化系统集成思路与罗姆的模块化功率极限追求相结合，形成了覆盖更广应用场景的解决方案矩阵。对于下游客户而言，统一的封装高度和模块化设计意味着更低的设计门槛和更高的系统可维护性。据悉，双方已计划将合作范围扩展至氮化镓等宽禁带材料领域，为高频应用提供更多技术选择。
