半导体行业正经历一场围绕玻璃基板的技术竞赛，这场竞争因英特尔的波折与多家企业的加速布局而备受关注。近期，英特尔明确表示将按计划推进玻璃基板商业化，这一表态终结了此前关于其可能退出该领域的猜测。与此同时，三星、Absolics、LG Innotek等企业纷纷公布技术进展，推动玻璃基板从“一家独大”转向“群雄逐鹿”的局面。
英特尔的玻璃基板研发可追溯至十多年前。20世纪90年代，该公司曾主导半导体行业从陶瓷封装向有机封装的转型，并开发了沿用至今的ABF基板技术。然而，随着AI与高性能计算对算力需求的激增，传统有机基板在尺寸稳定性、信号损耗和布线密度上的局限日益凸显。为突破瓶颈，英特尔于2021至2023年间集中资源攻克玻璃易碎性等核心工艺难题，并于2023年9月正式发布玻璃基板样品，明确技术路线图，计划在2026至2030年间推出搭载该技术的产品。
尽管英特尔长期投入，但其商业化进程并非一帆风顺。今年4月，公司执行副总裁Naga Chandrasekaran仍强调玻璃基板是先进封装的核心，并透露正在开发120x120毫米超大尺寸封装。然而，随着新CEO陈立武上任，英特尔进入“战略收缩阶段”，资源向先进工艺晶圆制造倾斜。7月，有媒体报道称英特尔可能放弃自主开发玻璃基板，转而采用外部采购方案。业内分析指出，玻璃基板标准尚未统一，供应链不成熟，独立开发需巨额投资，且工艺不稳定导致大规模应用困难，英特尔的调整被视为务实选择。
8月，职业社交平台资料显示，英特尔玻璃基板技术核心推动者、曾获2024年年度发明家（IOTY）的段罡跳槽至三星，担任执行副总裁，负责领导三星电机新型玻璃基板业务开发。这一变动进一步加剧了市场对英特尔放弃研发的猜测。随后，韩国媒体报道称英特尔正计划授权其玻璃基板技术，与多家制造商、材料供应商和设备厂商谈判专利合作。若协议达成，英特尔可能从供应商转变为客户，而三星电机、Absolics等企业将成为主要受益者。
然而，9月12日，英特尔官方驳斥了退出玻璃基板业务的报道，重申将按原计划推进商业化。这一表态与9月19日英伟达向英特尔投资50亿美元的“强强合作”形成呼应。分析认为，此次合作不仅注入关键资本，更通过确立重量级合作伙伴和未来AI基础设施应用方向，加速了玻璃基板技术的成熟与市场化。9月25日有消息称苹果也在与英特尔洽谈投资事宜，苹果此前曾与供应商探讨将玻璃基板用于电子产品芯片的可能性，若合作达成，将为英特尔业务增添新动力。
在英特尔波折不断的同时，其他企业正加速布局。三星通过旗下三星电机与三星电子并行推进玻璃基板技术研发。三星电机计划于2024年第四季度启动试制品产线，2025年第二季度开始产生业务收入，2026至2027年间实现量产，目标是用玻璃芯材料取代传统基板核心层，减少厚度约40%，并改善大尺寸基板高温翘曲问题。三星电子则专注于“玻璃中介层”研发，计划2028年将其导入先进封装工艺，替代当前连接GPU与HBM的硅中介层。为支持技术发展，三星已启动内外部合作，与康宁等材料公司及多家中小企业共建供应链。
除三星外，SKC集团旗下子公司Absolics也在加大玻璃基板产量。该公司计划2025年底前完成量产准备，其位于美国佐治亚州的工厂已开始原型生产，年产能约12,000平方米。Absolics正与AMD和亚马逊（AWS）就供应进行讨论，接近“资格预审”阶段，并计划下半年增加材料和零部件采购量60%以上，以支持生产规模扩大。LG Innotek则明确表示正在考察玻璃基板作为未来主流封装材料，计划2025年底前产生样品并进入验证阶段，同时加速推进FCBGA技术，目标2030年将该业务扩大至7亿美元规模。
技术突破方面，2025年电子元件与技术大会（ECTC）证实，研究人员在玻璃通孔（TGV）制造、玻璃易碎性解决和应用集成等领域取得进展。主流工艺“激光诱导深蚀刻”（LIDE）已能制造小至3微米、高纵横比的通孔，并有自动化湿法蚀刻设备支持量产。针对玻璃切割易产生微裂纹的问题，业界通过“回拉法”消除背面开裂缺陷，索尼等公司提出的“单片玻璃芯嵌入工艺”（SGEP）也为解决边缘易损问题提供了新思路。玻璃基板在高频和光子集成领域的潜力也得到验证，其低介电损耗和光学透明性可满足6G通信需求，共封装光学器件（CPO）技术则进一步拓展了其应用场景。
尽管市场对玻璃基板商业化的质疑仍存，但AI与高性能计算对先进封装的需求为技术突破提供了动力。随着英特尔明确推进计划、多家企业加速布局以及技术难题逐步解决，玻璃基板的商业化之路正愈发清晰。2026年，被多家厂商设定为玻璃基板量产元年，这一时间节点或将见证行业格局的深刻变化。
