在2025年PCIMAsia展会上，“人工智能与数据中心”成为备受瞩目的应用展示方向。随着AI负载的持续增长，对高频、高压、高效率电源系统的需求，已然成为功率半导体产业的核心议题。GaN材料、封装可靠性以及数据中心电源架构等话题，在多场行业演讲中频繁出现，凸显出人工智能数据中心（AIDC）对材料体系和系统设计路径的深远影响。
功率半导体市场的变革正推动器件材料向混合化演进。GaN凭借高频特性被应用于前端环节，SiC则专注于高压传输场景，而IGBT在特定应用中仍保持重要地位。这种材料分工趋势与AIDC架构的升级密切相关——当前主流的多级“AC→DC→AC→DC”转换路径因效率与热管理瓶颈面临挑战，英伟达提出的800V高压直流（HVDC）方案通过边缘部署固态变压器（SST），大幅简化中间环节，为电源系统结构重塑提供了新方向。
作为国内功率模块领域的代表性企业，宏微科技（688711.SH）在展会上集中展示了其技术布局。公司推出的GVE系列拓扑模块、TPak封装产品及SDC塑封半桥模块，在损耗控制、结温管理、频率效率等关键指标上实现突破，覆盖车规、光储、工业及数据中心等多元场景。针对AIDC供电需求，公司已形成完整产品矩阵：IGBT+SiC混合模块实现批量交付，SiC MOS模块完成小批量供货，650V GaN新品则专为AI服务器高频电源优化，可适配CRPS电源标准。
在高压平台领域，宏微科技的技术储备同样显著。1700V GWB模块已具备SST场景应用能力，多款SiC新品正在研发中，目标直指高压大功率市场。针对英伟达计划于2027年部署的800V HVDC架构，公司同步推进配套GaN产品的开发，形成从前端高频到后端高压的全链路技术覆盖。
市场数据印证了行业变革的加速。据Omdia预测，2025年全球功率半导体市场规模将达755亿美元，其中中国占比约39%。在AI电源、储能、智能充电等新兴场景驱动下，国产功率器件正通过快速验证实现市场份额扩张。宏微科技表示，将持续以技术创新为引擎，突破性能极限，为AIDC行业的能效升级与结构优化提供核心支撑。
