在半导体制造领域，掩膜作为光刻与图案化工艺的核心材料，承担着芯片电路图案“母版”的关键角色。随着工艺制程向更先进节点推进，掩膜的精度升级已成为突破技术瓶颈的核心要素之一。其中，多重电子束掩膜光刻设备凭借其高吞吐量与高精度的双重优势，成为支撑芯片量产的重要工具。
日本东芝旗下半导体设备企业NuFlare近日宣布，其新一代多重电子束掩膜光刻设备MBM-4000已正式投入市场。该设备专为支持A14（1.4纳米）工艺节点设计，旨在满足当前半导体行业对极紫外光刻（EUV）掩膜制造的严苛需求。
与上一代适用于2纳米节点的MBM-3000设备相比，MBM-4000在技术参数上实现显著突破。其电子束控制系统可同时精确操控超过50万束电子束，束流尺寸进一步缩小，电流密度大幅提升。通过优化束流控制算法，该设备实现了1.1纳米的位置精度与0.3纳米的尺寸精度，达到全球半导体制造设备领域的领先水平。
据技术文档披露，MBM-4000的升级重点在于电子光学系统的革新。新设备采用动态束流整形技术，可根据不同图案区域的复杂度自动调整束流参数，在提升生产效率的同时降低边缘效应。这一特性使其特别适用于高密度集成电路的掩膜制造，可有效减少因掩膜缺陷导致的芯片良率损失。
行业分析师指出，随着3纳米及以下先进制程进入量产阶段，掩膜精度对芯片性能的影响愈发显著。NuFlare此次推出的MBM-4000设备，不仅为半导体厂商提供了更可靠的生产工具，也为全球芯片制造技术向1.4纳米及以下节点的突破奠定了设备基础。
