全球功率半导体领域迎来重要突破，安森美公司正式宣布推出基于垂直氮化镓（vGaN）技术的新一代功率器件，并启动向特定客户交付工程样品。该技术采用创新的GaN-on-GaN同质衬底结构，通过独特的垂直电流传导设计，在高压应用场景中展现出显著优势。
与传统横向氮化镓器件相比，垂直架构使电流路径垂直穿过化合物半导体层，这种结构创新带来三方面突破：器件耐压等级提升至1200V以上，开关频率较现有产品提高40%，同时器件体积缩减至同类产品的三分之一。技术团队特别指出，垂直结构有效解决了横向器件在高压场景下的电场集中问题，为高功率密度应用提供了可靠解决方案。
在性能参数方面，首批推出的700V和1200V器件样品显示，系统能量损耗较传统硅基器件降低47%，工作温度下降15℃。这种能效提升直接转化为系统级优势——配套的被动元件（如电容器、电感器）体积可缩减50%，帮助设计工程师在有限空间内实现更高功率输出。
该技术对高成长领域具有战略价值。在电动汽车领域，更紧凑的功率模块可提升电池续航里程；数据中心应用中，降低的能耗能显著减少运营成本；航空航天领域则受益于器件的耐辐射特性和轻量化设计。早期测试数据显示，采用vGaN技术的电源转换系统效率突破98.5%，达到行业领先水平。
目前安森美已向全球20家战略客户交付首批样品，涵盖新能源汽车制造商、超大规模数据中心运营商和可再生能源设备商。技术团队透露，正在开发1700V等级器件，预计2026年实现量产，届时将进一步拓展轨道交通和工业电机驱动等高压应用市场。
