全球NAND闪存市场正经历新一轮供应格局调整，三星电子、SK海力士、铠侠及美光等八大主要厂商同步启动减产计划。据市场研究机构Omdia最新数据，三星电子已将2025年NAND晶圆产量目标从去年的507万片下调至472万片，降幅约7%；铠侠产量亦从480万片缩减至469万片。这种减产趋势预计将持续至2026年，形成行业性供应收缩态势。
价格调控成为厂商核心策略。三星电子正与海外主要客户谈判2026年供货协议，内部讨论将价格上调20%-30%，部分产品线涨幅可能更高。SK海力士NAND产出同比下降10%至约180万片，美光则维持新加坡Fab 7工厂产能在30余万片低位，通过控制供应量获取价格优势。这种策略已产生显著效果，TrendForce数据显示，主流512Gb TLC NAND芯片晶圆现货价较前周上涨14.2%至5.51美元，季度涨幅达15%，未来涨幅或突破40%-50%。
技术路线转型加速供应结构变化。四大厂商正将生产线向四层单元（QLC）制程迁移，这种每单元存储4比特的制程较三层单元（TLC）提升约30%存储密度，特别适用于AI数据中心所需的大容量固态硬盘。业内人士透露，部分TLC生产设备已暂停运转，设备转换期间形成的产能缺口直接推高市场价格。这种转型具有双重效应：既满足AI领域对高密度存储的需求，又通过减少TLC供应制造涨价空间。
市场反应呈现连锁效应。北美科技企业担忧价格持续攀升，已展开"恐慌性采购"，部分分析师指出2026年全年NAND供应量可能已被提前锁定。这种抢购行为进一步加剧供应紧张，形成价格-供应的螺旋上升。美国闪迪公司已率先行动，自本月起将NAND产品合约价最高上调50%，显示行业价格上行趋势获得广泛认同。
供应端调整背后是长期供需关系的逆转。此前困扰行业的产能过剩问题已彻底转变，三星电子与SK海力士等企业借价格上行契机着力改善盈利状况。这种转变不仅体现在价格策略上，更反映在产品结构优化中——QLC产品占比提升既符合技术发展趋势，也通过差异化定价获取更高利润空间。随着AI数据中心建设加速，高密度存储需求将持续增长，厂商的技术转型与供应调控正在重塑全球NAND市场格局。
