据韩媒The Elec披露，三星电子计划在即将召开的国际固态电路会议（ISSCC）上展示其最新研发的HBM4存储芯片。这场行业盛会将于明年2月15日至19日在美国旧金山举行，汇聚全球顶尖企业研究人员，预计将见证多项接近量产的前沿技术首次亮相。
三星此次展示的HBM4芯片在性能指标上实现突破性提升。该产品采用36GB容量设计，带宽达到3.3TB/s，较上月公布的同容量版本带宽提升近40%。技术团队通过优化堆叠结构与接口设计，在提升运算速度的同时显著增强了能效表现。特别针对人工智能大模型等高数据流量场景，研发团队在每个数据通道引入硅通孔（TSV）路径的对准信号（TDQS）自动校准技术，有效提高了高速传输时的信号精准度。
在存储芯片领域，三星的主要竞争对手SK海力士也将在此次大会上公布多项重要进展。该公司计划同步展示单Pin速率达14.4Gb/s的LPDDR6内存芯片，该产品采用基于低压差稳压器（LDO）的WCK时钟分配架构，即使在超高速运行状态下仍能维持信号稳定性，相比前代LPDDR5X性能提升显著。
另一款备受瞩目的展品是SK海力士研发的GDDR7显存芯片。这款产品单Pin速度最高可达48Gb/s，配备24Gb超大容量，其创新性在于将数据通道分割为独立读写区域，可同时执行数据读取与写入操作。这种特性使其特别适用于图形处理单元（GPU）、人工智能边缘计算以及高分辨率游戏等对实时性要求极高的应用场景。
作为半导体行业的重要技术交流平台，ISSCC参会者以企业研发人员为主，历年来都是新技术从实验室走向量产的关键转折点。行业观察人士指出，三星与SK海力士此次展示的技术成果，不仅反映了存储芯片领域的最新发展方向，更预示着下一代电子设备将在运算速度与能效表现上实现质的飞跃。
