在人工智能技术快速发展的背景下，高带宽存储器（HBM）作为支撑AI算力的核心组件，正成为全球存储芯片厂商竞争的焦点。据行业消息，三星电子近期在该领域实现重要突破，其HBM月产能已超越主要竞争对手SK海力士，达到17万片晶圆规模。
此前长期占据市场优势的SK海力士，凭借为英伟达等AI巨头稳定供货，在今年上半年连续两个季度登顶全球DRAM销售额榜首。但最新产能数据显示，三星电子通过技术迭代与产线优化，将HBM月产量从行业预估的15万片提升至17万片，反超SK海力士的16万片产能。这一变化标志着全球HBM市场格局进入动态调整期。
尽管产能实现反超，三星电子在市场份额方面仍面临严峻挑战。市场研究机构数据显示，今年第二季度三星在全球HBM市场的占有率仅为17%，不仅大幅落后于SK海力士的62%，也低于美光的21%。这种差距主要源于SK海力士与英伟达建立的深度供应链合作，以及其产品在AI服务器领域的先发优势。
作为基于3D堆栈工艺的高性能存储器，HBM通过垂直堆叠多层DRAM芯片实现数据传输带宽的指数级提升。这种技术特性使其成为训练大语言模型、处理复杂计算任务的关键基础设施。据行业分析，HBM的单位价格至少是传统DRAM的三倍，高技术壁垒与附加值正吸引更多厂商投入研发资源。
当前全球HBM市场呈现"一超多强"格局，SK海力士凭借技术积累与客户粘性占据主导地位，三星电子则依托半导体全产业链优势加速追赶。随着英伟达等企业持续扩大AI算力部署，HBM需求预计将保持高速增长，这场存储芯片领域的技术竞赛仍充满变数。
