全球科技领域围绕人工智能的角逐愈发激烈，作为核心零部件的高带宽内存（HBM）价格正经历显著上涨。据韩国媒体披露，三星电子与SK海力士近期在续签HBM3E 12层产品供货协议时，向现有客户提出了超过原价50%的报价方案，新客户则面临更高溢价门槛。
以具体产品为例，此前HBM3E 12层芯片的单颗价格约为300美元（按当前汇率折合人民币2105元），而近期续签合同的采购方需支付近500美元（约合人民币3508元）。这一涨幅使得该型号产品的市场定价已接近尚未量产的下一代HBM4水平，行业人士用"价格火箭式攀升"形容当前态势。
HBM通过垂直堆叠动态随机存取存储器（DRAM）芯片实现高带宽性能，自今年下半年以来价格持续走强。随着全球主要AI企业全面展开算力竞赛，这种用于加速人工智能训练的存储芯片需求激增，直接推高了市场报价。业内分析指出，大型科技公司为保持技术优势，不惜以更高成本锁定HBM供应，进一步加剧了供需失衡。
产能扩张面临现实制约。三星电子虽计划将部分NAND闪存生产线改造为DRAM产线，但在HBM2即将量产的关键阶段，短期内难以有效增加供给。SK海力士则需等待明年下半年新工厂投产后，才能逐步提升出货量。这种产能爬坡的滞后性，使得HBM价格在可预见时间内仍将维持高位运行。
