在第四代半导体材料领域，一项突破性成果引发关注。中国科学院上海光学精密机械研究所携手杭州富加镓业科技有限公司，在国际上首次运用垂直布里奇曼法（VB法）成功制备出8英寸氧化镓晶体。这一成果得益于上海市科委第四代半导体战略前沿专项的大力支持。
氧化镓作为第四代半导体的典型代表，凭借其宽禁带和高击穿场强的特性，在超高压功率器件领域展现出巨大的应用潜力。上海光机所是国内较早投身氧化镓晶体研究的科研机构，在VB法研究方面，与富加镓业紧密合作，重点攻克了关键装备制造、高精度模拟仿真以及确定性热场设计这三大核心技术难题。
回顾其研究历程，成果斐然。2024年7月，该团队在国内率先实现3英寸氧化镓晶体的制备；同年12月，又成功制备出4英寸晶体；到了2025年9月，再次取得突破，在国内首次制备出6英寸晶体；直至2025年12月，成功刷新了国际上利用VB法制备氧化镓晶体的最大尺寸纪录。
相较于其他制备方法，VB法在氧化镓晶体制备方面优势显著，被视为实现大规模产业化的理想途径。该方法在生长过程中无需使用铱金，有效降低了生长成本；其温度场均匀、温度梯度小，更有利于大尺寸、高质量氧化镓晶体的生长；能够生长出柱状晶体，提高了材料制备效率；而且生长过程稳定，非常适合自动化、规模化生产。
目前，上海光机所与富加镓业正与下游用户紧密协作，加快开展器件端对材料端的应用验证工作。通过持续迭代优化氧化镓材料及器件的性能，全力推动氧化镓在产业化领域的广泛应用。
