近日，上海证券交易所官网披露，长鑫科技集团股份有限公司提交的科创板首次公开募股（IPO）申请已正式获得受理。根据招股文件，该公司计划发行不超过106.22259999亿股股份，拟募集资金总额达295亿元。
作为一家深耕动态随机存取存储芯片（DRAM）领域的高新技术企业，长鑫科技自2016年6月13日在安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园成立以来，始终聚焦于DRAM产品的全链条研发、设计、生产与销售。公司通过实施“跳代研发”战略，成功实现从第一代工艺技术平台到第四代平台的规模化量产，产品矩阵覆盖DDR4、LPDDR4X至DDR5、LPDDR5/5X等主流品类，核心工艺技术已达到国际先进水平。
招股书显示，长鑫科技是我国DRAM行业中规模最大、技术布局最完整的企业。根据第三方机构Omdia的统计数据，以出货量计算，该公司已跃居中国DRAM市场首位、全球第四大供应商。这一成绩的取得，得益于其持续的技术迭代能力——从早期工艺平台到第四代平台的突破，仅用数年时间便完成了国际同行十余年的技术跨越。
财务数据方面，公司近年呈现强劲增长态势：2022年至2024年分别实现营业收入80.84亿元、90.63亿元和239.29亿元，2025年上半年营收已达152.24亿元。值得注意的是，其客户结构呈现高度分散化特征，报告期内不存在向单一客户销售占比超过50%或严重依赖少数客户的情况，这为其业务稳定性提供了重要保障。
从技术路线看，长鑫科技通过差异化竞争策略，在DRAM领域构建起覆盖设计、制造、封测的全产业链能力。其第四代工艺平台已实现10纳米级制程突破，产品性能指标与国际头部厂商的同期产品相当，部分指标甚至实现超越。这种技术自主性，使其在半导体产业链国产化进程中占据关键位置。
