研调机构Counterpoint Research最新发布的研究报告指出，全球存储市场正经历前所未有的繁荣周期，当前价格水平已突破2018年创下的历史峰值，且预计在2026年将迎来新一轮暴涨。根据预测，2026年第一季度存储芯片价格将较当前水平再涨40%-50%，第二季度继续攀升约20%，形成连续两个季度的强劲上涨态势。
服务器内存市场成为本轮涨价潮的典型代表。以64GB RDIMM内存条为例，其价格从2025年第三季度的255美元（单价0.50美元/Gb）飙升至第四季度的450美元（0.88美元/Gb），预计到2026年3月将突破700美元（1.37美元/Gb）关口。更值得关注的是，该产品年内存在冲击1000美元（1.95美元/Gb）的可能性，这将较2018年1.00美元/Gb的历史高点近乎翻倍。这种价格走势在数据中心级存储产品中具有普遍性，反映出企业级市场对高性能存储的旺盛需求。
消费电子领域同样受到显著冲击。智能手机旗舰机型采用的16GB-24GB LPDDR5X内存与512GB-1TB UFS 4.0存储组合，在当前价格体系下，存储组件成本已占据整机物料清单（BoM）的20%以上。对于部分超高端机型，这一比例可能突破25%，直接压缩了厂商在摄像头、显示屏等其他核心部件的升级空间，可能引发新一轮产品定价策略调整。
从供需关系来看，虽然Counterpoint预计2026年DRAM产量将同比增长24%，但产能扩张速度仍难以匹配市场需求增速。这种结构性矛盾在人工智能、大数据等新兴技术驱动下愈发突出，特别是生成式AI应用对高带宽内存（HBM）的爆发式需求，进一步加剧了传统DRAM市场的供应紧张局面。行业分析师指出，存储芯片制造商正面临技术升级与产能爬坡的双重挑战，短期内价格回调压力有限。
